[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

源极结构，所述源极结构形成在基底上；

蚀刻防止层，所述蚀刻防止层形成在所述源极结构上；

位线；

层叠结构，所述层叠结构位于所述蚀刻防止层和所述位线之间并且包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；以及

沟道结构，所述沟道结构穿过所述层叠结构和所述蚀刻防止层，

其中，所述沟道结构的下部位于所述源极结构中，并且所述沟道结构的所述下部的侧壁与所述源极结构直接接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述蚀刻防止层包括碳氮化硅SiCN。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极结构包括：

第一源极层，所述第一源极层形成在所述基底上；以及

第二源极层，所述第二源极层位于所述第一源极层和所述蚀刻防止层之间并且与所述沟道结构的所述下部直接接触。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述蚀刻防止层被插置于所述第二源极层与所述层叠结构之间的界面中。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中，所述沟道结构包括间隙填充层、沟道层和存储器层，

其中，所述沟道层形成在所述间隙填充层的侧壁上，

其中，所述存储器层形成在所述沟道层的侧壁上，并且

其中，所述间隙填充层穿过所述层叠结构、所述蚀刻防止层和所述第二源极层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述沟道结构的所述下部的所述沟道层的一部分被暴露，并且所述沟道层的暴露部分与所述第二源极层直接接触。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述沟道结构的所述下部延伸到所述第一源极层中，并且所述第一源极层与所述存储器层接触。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极结构包括多晶硅层，所述多晶硅层包括N型掺杂剂和P型掺杂剂中的一种。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

狭缝，所述狭缝穿过所述层叠结构和所述蚀刻防止层；

源极接触结构，所述源极接触结构形成在所述狭缝中；以及

间隔件，所述间隔件围绕所述源极接触结构的侧壁。

10.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

在基底上方形成第一源极层；

在所述第一源极层上方形成牺牲层；

在所述牺牲层上方形成蚀刻防止层；

在所述蚀刻防止层上形成包括彼此交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构；

形成穿过所述层叠结构、所述蚀刻防止层和所述牺牲层并延伸到所述第一源极层中的沟道结构；

形成穿过所述层叠结构和所述蚀刻防止层并暴露出所述牺牲层的狭缝；以及

通过去除通过所述狭缝暴露的所述牺牲层并用导电材料填充从中去除了所述牺牲层的空间来形成直接联接至所述沟道结构的第二源极层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述蚀刻防止层包括碳氮化硅SiCN。

12.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括以下步骤：在形成所述狭缝之后并且在去除所述牺牲层之前：

去除通过所述狭缝暴露的所述第一材料层；

在从中去除了所述第一材料层的空间中形成导电层；

在所述狭缝和所述牺牲层之间形成间隔件；以及

在所述狭缝和所述层叠结构之间形成所述间隔件。

13.根据权利要求12所述的方法，该方法还包括以下步骤：在去除所述第一材料层之后，沿着整个结构的表面形成阻挡层。