[发明专利]包括空气间隔件的半导体装置及其制造方法

说明书

提供了一种半导体装置，其包括：包括沟槽的衬底。第一导电图案设置在沟槽内。第一导电图案具有比沟槽的宽度小的宽度。第一间隔件沿着第一导电图案的侧表面的至少一部分和沟槽延伸。第二间隔件至少部分地填充与第一间隔件相邻的沟槽。提供了空气间隔件，其包括在第一间隔件和第二间隔件之间的第一部分，以及设置在第二间隔件和第一部分上的第二部分。空气间隔件的第二部分的宽度大于空气间隔件的第一部分的宽度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0070413的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体装置及其制造方法，更具体地讲，涉及一种包括空气间隔件的半导体装置及其制造方法。

背景技术

随着半导体装置的集成度不断提高，分离的电路图案被进一步小型化以在相同的面积上实现更多的半导体装置，从而增加密度。

随着半导体存储器装置集成度提高，寄生电容和泄漏电流可能越发使性能退化。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种包括具有沟槽的衬底的半导体装置。第一导电图案设置在沟槽内。第一导电图案具有比沟槽的宽度更小的宽度。第一间隔件沿着第一导电图案的侧表面的至少一部分和沟槽延伸。第二间隔件至少部分地填充与第一间隔件相邻的沟槽。提供空气间隔件，其包括位于第一间隔件和第二间隔件之间的第一部分，以及设置在第二间隔件和第一部分上的第二部分。空气间隔件的第二部分的宽度大于空气间隔件的第一部分的宽度。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种包括具有沟槽的衬底的半导体装置。导电图案设置在沟槽内。导电图案具有比沟槽的宽度更小的宽度。第一间隔件沿着导电图案的侧表面的至少一部分和沟槽延伸。第二间隔件至少部分地填充沟槽并且设置在第一间隔件上。提供空气间隔件，其包括位于第一间隔件和第二间隔件之间的第一部分，以及设置在第二间隔件和第一部分上的第二部分。第一间隔件包括位于导电图案和空气间隔件的第一部分之间的下间隔件，以及位于导电图案和空气间隔件的第二部分之间的上间隔件。第一间隔件的上间隔件的宽度小于第一间隔件的下间隔件的宽度。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种包括具有沟槽的衬底的半导体装置。导电图案设置在沟槽内。导电图案具有比沟槽的宽度更小的宽度。第一间隔件沿着导电图案的侧表面的至少一部分和沟槽延伸。空气间隔件通过第一间隔件从导电图案位移，空气间隔件沿着第一间隔件的至少一部分延伸。空气间隔件在横截面中具有T形形状，并且空气间隔件的一部分形成在沟槽内。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其它特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的平面图；

图2是根据本发明构思的示例性实施例的沿图1的线A-A'截取的截面图；

图3A、图3B、图3C、图3D和图3E是示出根据本发明构思的示例性实施例的图2的R1区域的各种放大图；

图4是根据本发明构思的示例性实施例的沿图1的线B-B'截取的截面图；以及

图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19和图20是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造半导体装置的方法的各阶段的截面图。

具体实施方式

图1是根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的平面图。