[发明专利]一种多晶B4 有效
申请号: | 202010516771.1 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111606711B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 欧阳晓平;王海阔;欧阳潇;谈仲军 | 申请(专利权)人: | 欧阳晓平 |
主分类号: | C04B35/563 | 分类号: | C04B35/563;C04B35/575;C04B35/622;C04B35/645 |
代理公司: | 郑州明德知识产权代理事务所(普通合伙) 41152 | 代理人: | 张献伟 |
地址: | 450001 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 base sub | ||
1.一种多晶B4C—SiC双层复合材料的制备方法,其特征在于:以B4C多晶块体或粉末、SiC多晶块体或粉末为原料,在高温高压条件下烧结,具体包括如下步骤:
a、原料处理:用无水乙醇分别处理晶粒尺寸为3nm-500μm的SiC多晶块体或粉末、晶粒尺寸为3nm-500μm的B4C多晶块体或粉末,废液倒出后,在100-120℃条件下进行烘干;干燥后的SiC多晶块体或粉末、B4C多晶块体或粉末中分别加适量的去离子水,分别进行预压成型,把成型样品放入真空干燥箱中真空干燥;
b、装配烧结单元:将预压成型的原料用金属包裹体进行包裹,避免样品在高温高压下污染;将带有金属包裹体的原料装入高压烧结单元中,将组装好的高压烧结单元放入干燥箱中恒温干燥备用;
c、高温高压烧结:利用高压设备进行高温高压烧结,达到1-4GPa的设定压力后,升温加热,600-1300℃保温20秒-15分钟,保温结束后,停止加热,保压一段时间后再开始缓慢降压;
d、样品处理:取出合成腔体内的样品,去除样品外面包裹的金属包裹体,对内部样品进行打磨、抛光以及酸洗后,得到多晶B4C—SiC双层复合材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:晶粒尺寸为3nm-500μm的SiC多晶块体或粉末原料中添加有烧结助剂A,晶粒尺寸为3nm-500μm的B4C多晶块体或粉末原料中添加有烧结助剂B;所述烧结助剂A为Fe、Si中的一种或两者的混合物,所述烧结助剂B为B、Si、石墨中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:制备得到的多晶B4C—SiC双层复合材料的厚度为2-200mm,其中多晶B4C层厚度为1-199mm,多晶SiC厚度为1-199mm。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述高压设备是国产六面顶压机。
5.一种多晶B4C—SiC双层复合材料,其特征在于由权利要求1-4任一所述的制备方法制备得到。
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