[发明专利]三维存储器的制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上堆叠形成至少两个叠层结构，以及形成沿第一方向贯穿各所述叠层结构的沟道孔；

在所述沟道孔的内侧壁以及在所述衬底位于所述沟道孔内的表面上形成功能层；

在所述功能层的内侧壁及底壁上形成牺牲层；

在所述沟道孔的底部且位于所述牺牲层远离所述衬底的表面上形成第二保护层；

在所述牺牲层的内侧壁上形成第一保护层；

刻蚀去除位于所述沟道孔的底部的所述功能层，形成延伸至所述衬底的通孔；

其中，所述功能层与所述第一保护层的刻蚀选择比大于1，所述功能层与所述牺牲层的刻蚀选择比大于1，所述第二保护层包括氧化硅，所述第一保护层包括氮化硅。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述功能层与所述第一保护层的刻蚀选择比为5至10。

3.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述功能层与所述牺牲层的刻蚀选择比为5至10。

4.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述牺牲层包括多晶硅。

5.根据权利要求4所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述牺牲层的内侧壁上形成所述第一保护层的步骤包括：

向所述沟道孔内通入氮气；

所述氮气与所述牺牲层的内侧壁发生反应生成氮化硅保护膜，所述氮化硅保护膜为所述第一保护层。

6.根据权利要求4所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述沟道孔的内侧壁以及在所述衬底位于所述沟道孔内的表面上形成功能层的步骤包括：

在所述沟道孔的内侧壁以及在所述衬底位于所述沟道孔内的表面上形成阻挡介质层；

在所述阻挡介质层内侧壁及底壁上形成电荷存储层；

在所述电荷存储层的内侧壁及底壁上形成隧穿介质层；

其中，所述阻挡介质层、所述隧穿介质层均为氧化硅层，所述电荷存储层为氮化硅层。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，刻蚀去除位于所述沟道孔的底部的所述功能层，形成延伸至所述衬底的通孔的步骤包括：

去除位于所述沟道孔的底部的所述第二保护层、所述牺牲层及所述隧穿介质层；其中，所述第二保护层、所述牺牲层以及所述隧穿介质层与所述第一保护层的刻蚀选择比均大于1；

去除位于所述沟道孔的底部的所述电荷存储层，其中，所述电荷存储层与所述阻挡介质层的刻蚀选择比大于1；

去除位于所述沟道孔的底部的所述阻挡介质层，形成贯穿位于所述沟道孔底部的所述功能层，并延伸所述衬底的通孔；其中，所述阻挡介质层与所述牺牲层的刻蚀选择比大于1。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述第二保护层、所述牺牲层以及所述隧穿介质层与所述第一保护层的刻蚀选择比为5至10。

9.根据权利要求7所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

所述电荷存储层与所述阻挡介质层的刻蚀选择比为5至8。

10.根据权利要求7所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

所述阻挡介质层与所述牺牲层的刻蚀选择比为5至10。

11.根据权利要求1-7任一项所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述三维存储器的制作方法还包括：

刻蚀去除位于所述功能层的内侧壁及底壁上的所述牺牲层；

在所述功能层的内侧壁上形成沟道层，所述沟道层与所述衬底的外延区电性连接。