[发明专利]一种具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法

权利要求书

1.一种具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，包括如下步骤：

步骤一：选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒，使得P型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面，减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9％-15％之间；

步骤二：将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；

步骤三：硅片经过激光器，正面开槽；

步骤四：去除硅片边缘PN结；

步骤五：形成氧化保护膜；

步骤六：沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的背面镀氮化硅反射膜；

步骤七：沉淀硅片的正面镀氮化硅反射膜；

步骤八：硅片通过背面激光开槽；

步骤九、背面电极印刷：在硅片的背面印刷金属背电极，所采用的金属为银；

步骤十、铝背场印刷：在硅片的背面印刷铝背场；

步骤十一、正面主栅印刷，所采用的金属为银；

步骤十二、正面副栅印刷，所采用的金属为银；

步骤十三、高温快速烧结：将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结。

2.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，制绒剂为体积比为2％的KOH水溶液，温度为80℃，制绒时间为300s；或者制绒剂为体积比为2％-3％的KOH、体积比为0.5％-0.7％的制绒添加剂、其余为水的混合溶液。

3.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，将硅片置于850℃的炉管中进行磷扩散，扩散时间为70min，在硅片表面形成N型层。

4.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结。

5.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤五中，经过退火炉形成氧化保护膜，退火温度为650-750℃，时间为800-1000s，氧气的流量为100sccm，压力为150Pa。

6.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤六中，采用化学气相沉积法沉积硅片背面氧化铝钝化层，背面氧化铝钝化层的膜厚为5nm，背面氮化硅反射膜的膜厚为80nm。

7.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤七中，采用化学气相沉积法沉淀硅片的正面镀氮化硅反射膜；正面氮化硅反射膜的膜厚为72nm。

8.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤十一中，主栅使用主栅蜈蚣角增大的网版印刷，印刷速度为450mm/s，压力为60N，网版间距为2.1mm，通过温度为220度的烘干炉，烘干银栅线和银电极。

9.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤十二中，副栅使用副栅蜈蚣角增大的网版印刷，印刷速度为450mm/s，压力为60N，网版间距为2.1mm，通过温度为280度的烘干炉，烘干银栅线和银电极。

10.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤十三中，烧结温度为：700-800℃，烧结时间为50-70秒。