[发明专利]一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，包括如下步骤：

步骤一：选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒，使得P型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面，减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9％-15％之间；

步骤二：将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；

步骤三：硅片正面开槽；

步骤四：去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；

步骤五：经过退火炉形成氧化保护膜；

步骤六：沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的背面镀氮化硅反射膜；

步骤七：沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜；

步骤八：硅片通过背面激光开槽；

步骤九、背面电极印刷：在硅片的背面印刷金属背电极，所采用的金属为银；

步骤十、铝背场印刷：在硅片的背面印刷铝背场；

步骤十一、正面电极印刷：在硅片的正面印刷正面金属电极，所采用的金属为银；

步骤十二、高温快速烧结：将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结。

2.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，制绒剂为体积比为2％的KOH水溶液，温度为80℃，制绒时间为300s；或者制绒剂为体积比为2％-3％的KOH、体积比为0.5％-0.7％的制绒添加剂、其余为水的混合溶液。

3.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，硅片在850℃的炉管中进行磷扩散，扩散时间为70min。

4.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤三的具体过程为：硅片经过激光器，正面开槽，在主栅下面打一根激光线，主栅激光宽度为70um，雕刻速度为30000mm/s，形成重掺区域，重掺区域的衬底方为85±5Ω；用于激光处理的激光能量大小为25瓦特，激光频率为225千赫兹。

5.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤三的具体过程为：硅片经过激光器，正面开槽，在主栅下面打两根激光线，主栅激光重掺杂宽度为140um，雕刻速度为30000mm/s，形成重掺区域，重掺区域的衬底方为85±5Ω；用于激光处理的激光能量大小为25瓦特，激光频率为225千赫兹。

6.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃。

7.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤五中，退火温度为650-750℃，时间为800-1000s。

8.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤六中，采用化学气相沉积法沉积硅片背面氧化铝钝化层，背面氧化铝钝化层的膜厚为5nm；背面氮化硅反射膜的膜厚为80nm。

9.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤七中，采用化学气相沉积法沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜，正面氮化硅反射膜的膜厚为72nm。

10.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤十二中，烧结温度为：700-800℃，烧结时间为50-70秒。