[发明专利]具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高电压半导体器件，包括：

半导体衬底，具有有源区，并且所述半导体衬底具有第一导电类型；

栅极结构，设置在所述半导体衬底的所述有源区上；

至少一个第一隔离结构，设置在所述栅极结构的一侧的所述半导体衬底的所述有源区中；

至少一个第一漂移区，设置在所述栅极结构的所述一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，所述至少一个第一漂移区具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型，并且所述至少一个第一隔离结构垂直穿透所述至少一个第一漂移区；

设置在所述至少一个第一漂移区中的至少一个第一掺杂区，并且其中，所述至少一个第一隔离结构设置在所述至少一个第一掺杂区和所述栅极结构之间，并且在所述栅极结构延伸方向(D1)上的所述至少一个第一隔离结构的宽度(W1)大于所述至少一个第一漂移区的宽度(W3)，使得所述至少一个第一掺杂区沿所述栅极结构的延伸方向设置在所述至少一个第一隔离结构的两个相对边缘之间；以及

设置在所述半导体衬底中的第二隔离结构，其中，所述第二隔离结构具有用于限定所述有源区的开口，其中，所述第二隔离结构的底部比所述至少一个第一漂移区的底部深。

2.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述第一掺杂区具有所述第二导电类型。

3.根据权利要求2所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一漂移区的掺杂浓度小于所述至少一个第一掺杂区的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一漂移区在顶视图中围绕所述至少一个第一隔离结构。

5.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一隔离结构与所述第二隔离结构分离。

6.根据权利要求2所述的高电压半导体器件，还包括至少一个第二掺杂区，所述至少一个第二掺杂区设置在所述栅极结构的另一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第二掺杂区具有所述第二导电类型。

7.根据权利要求6所述的高电压半导体器件，还包括至少一个第二漂移区，所述至少一个第二漂移区设置在所述栅极结构的所述另一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第二掺杂区设置在所述至少一个第二漂移区中，其中，所述至少一个第二漂移区具有所述第二导电类型，并且所述至少一个第二漂移区的掺杂浓度小于所述至少一个第二掺杂区的掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的高电压半导体器件，还包括第三隔离结构，所述第三隔离结构设置在所述至少一个第二掺杂区和所述栅极结构之间的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述第三隔离结构垂直穿透所述至少一个第二漂移区。

9.根据权利要求8所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第二掺杂区沿所述栅极结构的延伸方向设置在所述第三隔离结构的两个相对边缘之间。

10.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一隔离结构包括沿垂直于所述栅极结构的延伸方向的方向布置的多个第一隔离结构。

11.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一隔离结构包括多个第一隔离结构，所述多个第一隔离结构彼此间隔开并沿着所述栅极结构的延伸方向布置，所述高电压半导体器件包括多个第一掺杂区，并且所述第一掺杂区在垂直于所述栅极结构的延伸方向的方向上与所述第一隔离结构完全重叠。