[发明专利]一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法

权利要求书

1.一种检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤如下：

（1）制备PAMAM-Au纳米材料，备用：

首先，将2 mL浓度为2 mM的 HAuCl₄加入到20 μL浓度为0.5 g·mL^-1 的PAMAM溶液中，室温搅拌1 h；然后加入1 mL新制备的浓度为20 mM 的NaBH₄，剧烈搅拌30 min，溶液由亮黄色变为红棕色；将上述溶液在12000 rpm离心30 min，重新分散于超纯水中，保存在4 ℃下备用；

（2）制备CdSe QDs材料，备用：

首先，将1.7 g Na₂SO₃溶解于50 mL超纯水中；然后将溶液转移至100 mL三口烧瓶中，通氮气30 min，在搅拌下加热升温至90 ℃；然后，向三口烧瓶中加入0.6 g硒粉，持续通氮气，冷却回流5 h，过滤得到浅黄色的Na₂SeO₃前驱体；

将0.80 mL 浓度为0.20 M的CdCl₂溶液，72.5 mg HMP，34.6 μL MPA加入到50 mL超纯水中，用6.0 M 的NaOH溶液调节pH至9.0，然后加入0.80 mL浓度为 20.0 mM的 Na₂SeO₃前驱体溶液，100 ℃下回流10 min；然后向溶液中加入3.67 mL N₂H₄·H₂O，在100 ℃下继续回流8-10 h，用异丙醇对产物进行离心洗涤三次，最后将CdSe QDs重新分散到超纯水中，在4 ℃下保存备用；

（3）氧化铟锡玻璃ITO电极经预处理后，备用；

（4）将步骤（1）制备的PAMAM-Au纳米材料修饰到步骤（3）预处理的氧化铟锡玻璃电极表面，并在室温下干燥，此时，产品标记为PAMAM-Au/ITO;

（5）将步骤（2）制备的CdSe QDs材料修饰到步骤（4）所制得的传感器表面，并在室温下自然晾干, 此时，产品标记为CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO;

（6）将活化试剂EDC/NHS混合溶液修饰在步骤（5）所制得的传感器表面，以活化CdSeQDs表面的羧基；随后将Cry1Ab抗体修饰在电极表面，并在一定温度下孵育一段时间，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO;

（7）将牛血清白蛋白BSA修饰在步骤（6）所获得的传感器表面，以封闭未结合的非特异性位点，之后用PBS对产品进行清洗，此时，产品标记为BSA/ Cry1Ab抗体/CdSe QDs/PAMAM-Au/ITO；以此，获得高灵敏检测Cry1Ab蛋白的光电化学传感器。

2.根据权利要求1所述的检测转基因作物中Cry1Ab蛋白的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，制备PAMAM-Au纳米材料的具体步骤为：首先，将2 mL浓度为2mM的 HAuCl₄加入到20 μL浓度为0.5 g·mL^-1 的PAMAM溶液中，室温搅拌1 h；然后加入1 mL新制备的浓度为20 mM 的NaBH₄，剧烈搅拌30 min，溶液由亮黄色变为红棕色；将上述溶液在12000 rpm离心30 min，重新分散于超纯水中，保存在4 ℃下备用。