[发明专利]一种淡化ITO蚀刻纹的方法

权利要求书

1.一种淡化ITO蚀刻纹的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

绘制ITO通道图案，ITO通道图案的线距设定为A，ITO通道图案线距的工艺公差值为n；

在ITO通道图案之间的间隙内，绘制靠近ITO通道图案的外层ITO悬浮块，外层ITO悬浮块与ITO通道图案的间距为A，此处的工艺公差值为n；

绘制不与ITO通道图案相邻的内层ITO悬浮块，内层ITO悬浮块之间的间隙为B，B≤|n|。

2.根据权利要求1所述的淡化ITO蚀刻纹的方法，其特征在于：所述绘制ITO通道图案，ITO通道图案的线距设定为A，ITO通道图案线距的工艺公差值为n，具体包括：

根据电性需求，绘制ITO通道图案，各个ITO通道图案之间的线距为A，ITO通道图案线距的工艺公差值为n，ITO通道图案的实际线距处于A-n≤A≤A+n的范围内，此时相邻的ITO通道图案之间不接触。

3.根据权利要求1所述的淡化ITO蚀刻纹的方法，其特征在于：所述在ITO通道图案之间的间隙内，绘制靠近ITO通道图案的外层ITO悬浮块，外层ITO悬浮块与ITO通道图案的间距为A，此处的工艺公差值为n，具体包括：

在ITO通道图案之间的间隙内，绘制靠近ITO通道图案的外层ITO悬浮块，外层ITO悬浮块沿着ITO通道图案绘制有一圈，外层ITO悬浮块靠近ITO通道图案的一侧与ITO通道图案的间距为A，此处的工艺公差值为n，实际间距处于A-n≤A≤A+n的范围内，此时外层ITO悬浮块和ITO通道图案之间不接触。

4.根据权利要求1所述的淡化ITO蚀刻纹的方法，其特征在于：所述绘制不与ITO通道图案相邻的内层ITO悬浮块，内层ITO悬浮块之间的间隙为B，B≤|n|，具体包括：

绘制不与ITO通道图案相邻的内层ITO悬浮块，内层ITO悬浮块之间的间隙为B，B≤|n|，ITO悬浮块之间存在随机接触的现象，进而产生位置、大小和形状随机分布的导通。

5.根据权利要求1所述的淡化ITO蚀刻纹的方法，其特征在于：将所述绘制不与ITO通道图案相邻的内层ITO悬浮块，内层ITO悬浮块之间的间隙为B，ITO悬浮块间距的工艺公差值仍为n，B≤|n|，替换为：

绘制不与ITO通道图案相邻的内层ITO悬浮块，内层ITO悬浮块与外层ITO悬浮块内侧的间隙为A，内层ITO悬浮块之间的相互间隙也为A，其中，在ITO悬浮块之间随机设置多边形悬浮块，将相邻的ITO悬浮块连接，整体形成不规则悬浮块。