[发明专利]电压检测电路及控制器和电子设备

说明书

本发明提供一种电压检测电路，其包括：分压电阻单元，具有多个分压点以提供电源电压的多个分压；数字模拟转换电路，包括电压选择并组合单元以根据第一调整信号的控制对所述多个分压进行选择并组合以产生占所述电源电压第一预定比例的检测电压；参考电压产生电路，用以根据第二调整信号产生第二预定比例，以及根据带隙参考电压与所述第二预定比例的倒数的乘积产生参考电压；以及比较器，包括正输入端、负输入端及输出端，所述正输入端与所述检测电压耦接，所述负输入端与所述参考电压耦接，且所述输出端用以提供输出电压。

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种电压检测电路及控制器和电子设备。

背景技术

图1给出了现有技术中一种低电压检测电路的示意图。如图1所示，该电路包含分压电路10及检测电路20，用以监测电源电压V_PP是否产生过低压状态，并在V_PP产生所述过低压状态时使输出电压V_OUT呈现低电位。

分压电路10包含电阻单元11及多个开关(12a、12b、12c)，电阻单元11耦接于电源电压V_PP与参考地之间，具有多个结点(A、B、C、D、E、F、G)，其中，结点A用以提供检测电压V_X，接点B、C与开关12a的通道两端连接，接点D、E与开关12b的通道两端连接，接点F、G与开关12c的通道两端连接，由开关(12a、12b、12c)导通/断开组合决定V_X与V_PP间之比例关系。

检测电路20包含PMOS晶体管20a、电阻20b及反相器20c，其中，PMOS晶体管20a具有源极、栅极及漏极，该源极与直流电压V_DD耦接，该栅极与检测电压V_X耦接；电阻20b耦接于该漏极与该参考地之间以在该漏极产生初级输出电压V_Y；以及反相器20c，具有输入端及输出端，该输入端与初级输出电压V_Y耦接，该输出端用以提供输出电压V_OUT。

在实际操作的过程中，当电源电压V_PP低于预定准位致使PMOS晶体管20a产生的电流I_D超过临界值时，电流I_D在电阻20b所建立的初级输出电压V_Y的准位会升高至驱使反相器20c的输出电压VOUT由高电位反转成低电位以指示电源电压V_PP出现低电压状态，其中，电流I_D和K_P(V_DD-V_X-V_TH)²成正相关，其中，K_P为PMOS晶体管20a的物理结构参数，其与(W/L)成正比，W为通道的宽度，L为通道的长度，而V_TH为PMOS晶体管20a的导通阈值电压。

然而，由于PMOS晶体管20a的K_P和V_TH以及电阻20b的阻值均对工艺制程的变化高度敏感，其绝对值变化约20％～40％，因此，该已知低电压检测电路在量产后容易发生错误指示电源电压V_PP出现低电压状态的情况。图2示出了图1的低电压检测电路在量产后所产生的监测电压变化现象。如图2所示，图1的低电压检测电路的监测电压变化范围约1.4V。

因此，本领域亟需能够提供精准电压检测的低电压检测电路。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种电压检测电路，其可由分压电阻单元及DAC(数字模拟转换)电路产生与电源电压成正比的检测电压，再根据带隙参考电压产生比较电压以与该检测电压进行比较，从而在该电源电压出现欠电压状态时产生指示信号。

为达成上述目的，本发明提出了一种电压检测电路，其包括：

分压电阻单元，包括多个分压点以提供电源电压的多个分压；