[发明专利]用于晶圆定位的定位装置以及纳米压印机有效
| 申请号: | 202010502073.6 | 申请日: | 2020-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN111613568B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
| 发明(设计)人: | 冀然 | 申请(专利权)人: | 青岛天仁微纳科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/68;G03F7/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 266000 山东省青岛市城阳区长城*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 定位 装置 以及 纳米 压印 | ||
本发明提出一种用于晶圆定位的定位装置,基盘,自基盘的边缘向基盘的中心依次设置有多个真空槽组,晶圆放置在基盘的上表面上,晶圆的底部可覆盖任意一个或多个真空槽组;定位装置,具有多个不同的定位部,以对应不同尺寸或形状的晶圆,多个不同的定位部上对应设置有不同的定位端,以使不同的定位端对应适配不同尺寸或形状的晶圆的外边缘,定位部可自基盘的底端穿过基盘移动至基盘上方,以定位晶圆;真空装置,与真空槽组连通,以使真空槽组内产生负压固定晶圆。一种采用用于晶圆定位的定位装置的纳米压印机。本发明根据晶圆的缺口定位精准,不仅定位了晶圆的晶向方向,也定位了晶圆上纳米结构的方向,且整个定位过程中不接触晶圆的光刻面。
技术领域
本发明属于纳米压印技术领域,尤其涉及一种用于晶圆定位的定位装置以及纳米压印机。
背景技术
在制备晶圆衬底时,首先利用单晶直拉法等制作圆柱体型的硅锭,然后圆柱体型的硅锭再通过金刚线切割变成硅片,通过打磨等一系列工艺就制备出了晶圆,单晶直拉法的旋转提拉工艺决定了硅锭的圆柱型,所以在进行切割后大多也都是圆形。
但是严格意义上晶圆不是圆形的,如图1所示,晶圆有时会带统一的缺口,根据缺口的形状不同分为两种。如图2所示生产出硅锭后,在直径200mm以下的硅锭上切一个或两个平角叫做Flat,对于直径大于等于200mm的硅锭,为了避免浪费,只裁剪一个圆形小孔,叫做Notch。如图3所示,缺口表征着晶体生长的方向,此外在光刻也会参照缺口刻画纳米结构,一定程度上表征着晶圆上的纳米结构的方向。缺口的存在便于设备对于晶圆进行定位,例如在进行CPU内核的制作和切割的时候更好确定方向。
由于晶圆产品的特性易碎,并且光刻面的纳米结构不允许与其他物体有直接接触以免被污染,这种特性导致但晶圆加工过程中定位困难。一般的晶圆定位装置只能将定位晶圆的圆心,不能同时定位晶体生长的方向和晶圆上纳米结构的方向。
中国专利CN110676204《晶圆定位机构》提供了一种晶圆定位机构,包括夹紧气缸及保护夹爪,夹紧气缸包括气缸主体及两滑动安装于气缸主体的气爪夹头,保护夹爪包括两夹持组件,每一夹持组件固定于一气爪夹头,每一夹持组件设有粗定位夹持面及精定位夹持面,定位夹持面只能定位晶圆的圆边从而确定晶圆的圆心,不能精确定位晶圆纳米结构的方向,不利于晶圆的准确定位和后续工作。
发明内容
本发明针对上述的技术问题,提出一种用于晶圆定位的定位装置以及纳米压印机,本发明根据晶圆的缺口定位精准,不仅定位了晶圆的晶向方向,也定位了晶圆上纳米结构的方向,且整个定位过程中不接触晶圆的光刻面,不会损坏或者污染光刻面。
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案为:一种用于晶圆定位的定位装置,包括,
基盘,自所述基盘的边缘向基盘的中心依次设置有多个真空槽组,晶圆放置在所述基盘的上表面上,晶圆的底部可覆盖任意一个或多个真空槽组;
定位装置,其具有多个不同的定位部,以对应不同尺寸或形状的晶圆,多个不同的所述定位部上对应设置有不同的定位端,以使不同的所述定位端对应适配不同尺寸或形状的晶圆的外边缘,所述定位部可自所述基盘的底端穿过所述基盘移动至所述基盘上方,以定位晶圆;
真空装置,其与所述真空槽组连通,以使所述真空槽组内产生负压用以固定晶圆。
在本发明的一些实施例中,所述定位部的中心与晶圆的中心之间的连线呈直线。
在本发明的一些实施例中,所述基盘上设置有多个与所述不同的定位部适配的导槽,所述导槽竖向贯穿所述基盘,所述定位装置为与所述定位部连接的伸缩气缸。
在本发明的一些实施例中,所述定位部为定位板,所述定位端为设置在定位板上与不同形状的晶圆外边缘适配的定位槽。
在本发明的一些实施例中,所述定位部不对晶圆定位时,其顶部位于所述基盘上表面以下。
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