[发明专利]一种超高分辨率抗刻蚀含金属嵌段共聚物及其制备与应用

权利要求书

1.一种超高分辨率抗刻蚀含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段共聚物包含第一嵌段及第二嵌段，所述的第一嵌段由式(1)单体和/或式(2)单体聚合得到：

其中，R₁为氢或甲基，x₁、x₂分别独立地选自1～20中的整数，E₁、E₂为含有有机金属的基团；

所述的第二嵌段由式(3)单体聚合得到：

其中，R₂选自下组之一：含取代基的C1-C30烷基、含取代基的C3-C30环烷基、含氟芳香环，R₃选自下组之一：含取代基的C1-C40烷基、含取代基的C3-C30环烷基；所述的取代基为含卤素取代基。

2.根据权利要求1所述的一种超高分辨率抗刻蚀含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段共聚物为二嵌段共聚物或三嵌段共聚物，所述的二嵌段共聚物为A-B型嵌段共聚物，所述的三嵌段共聚物为A-B-A型嵌段共聚物或B-A-B型嵌段共聚物，所述的A表示第一嵌段，所述的B表示第二嵌段。

3.根据权利要求1所述的一种超高分辨率抗刻蚀含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的E₁、E₂分别独立地选自式(4)、式(5)、式(6)或式(7)基团：

-Ar₁-M₁-Ar₂ (4)

-Ar₇-M₄-(L₂)_a3 (7)

其中，M₁、M₂、M₃、M₄分别独立地选自以下金属元素：Fe、Co、Ni、Zr、Hf、Ta、Pt、Nb、Ti、Sn、Cr、Mn、W；

Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄、Ar₅、Ar₆、Ar₇分别独立地选自下组之一：取代或未取代的环戊二烯、取代或未取代的苯环，所述的取代指被选自下组中的一个或更多个取代基取代：卤素、烷基、环烷基、酰基、烷氧基、氰基、羟基、醛基、羧基、酯基；

X₁^-为有机阴离子或无机阴离子，所述的有机阴离子包括二氯二氰基苯醌阴离子、7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷阴离子、磺酸阴离子、碘酸阴离子、甲硫氨酸阴离子或羧酸阴离子中的一种或更多种，所述的无机阴离子包括六氟化磷阴离子、四氟化硼阴离子、六氟化锑阴离子、卤素离子、四溴化铁阴离子、四氯化铁阴离子、三碘阴离子或硝酸阴离子中的一种或更多种；

a₁、a₂、a₃分别独立地选自1以上的整数；

L₁、L₂分别独立地选自以下金属配体：氢原子、卤素原子、烷基、环烷基、烷氧基、羧基、羰基、异氰基、烯基、炔基、胺基、硝基、硫醇、酰胺基、醚类、醇类。

4.根据权利要求3所述的一种超高分辨率抗刻蚀含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的E₁、E₂中含有环戊二烯或苯环结构单元，中心金属元素为铁。

5.根据权利要求1所述的一种超高分辨率抗刻蚀含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的卤素包括F、Cl、Br或I中的一种或更多种。

6.根据权利要求5所述的一种超高分辨率抗刻蚀含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的含卤素取代基为含氟取代基，所述的含氟取代基包括氟基、线性含氟烃基、含氟的支化烃基、含氟的环状烃基、含氟的线性烷基醚基、含氟的支化烷基醚基、含氟的环状烷基醚基或含氟的芳香基中的一种或更多种。