[发明专利]一种3C-SiC外延结构

权利要求书

1.一种3C-SiC外延结构，其特征在于，所述3C-SiC外延结构由下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、3C-SiC外延层。

2.根据权利要求1所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述衬底和GaN缓冲层之间还包括AlN缓冲层或AlGaN缓冲层。

3.根据权利要求1所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述衬底和GaN缓冲层之间还包括AlN缓冲层和AlGaN缓冲层；所述AlN缓冲层位于AlGaN缓冲层之下。

4.根据权利要求2或3所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlGaN缓冲层还可替换为AlGaN缓冲层A和AlGaN缓冲层B；所述AlGaN缓冲层A位于AlGaN缓冲层B之下。

5.根据权利要求2或3所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlGaN缓冲层还可替换为超晶格缓冲层。

6.根据权利要求5所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层为AlGaN/GaN超晶格缓冲层或AlN/AlGaN超晶格缓冲层。

7.根据权利要求2-6任意一项所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为80～300nm。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度为10～500nm；所述3C-SiC外延层的厚度为10～100μm。

9.根据权利要求4所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlGaN缓冲层A和所述AlGaN缓冲层B的厚度均为10～500nm。

10.根据权利要求4所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlGaN缓冲层B中Al组分含量为10～20％；所述AlGaN缓冲层A中Al组分含量是所述AlGaN缓冲层B中Al组分含量的2～4倍。