[发明专利]抗辐照碳纳米管晶体管、制造方法以及集成电路系统在审
| 申请号： | 202010496825.2 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113764587A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 朱马光;肖洪山;张志勇;赵建文;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L23/552;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 韩德凯;李伟波 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐照 纳米 晶体管 制造 方法 以及 集成电路 系统 | ||
1.一种抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，包括：
抗辐照衬底；
碳纳米管粘附层，所述碳纳米管粘附层形成在所述抗辐照衬底上；
碳纳米管层，所述碳纳米管层形成在所述碳纳米管粘附层上，所述碳纳米管层作为沟道；以及
栅介质，所述栅介质为至少在所述碳纳米管层的一部分上形成的聚合物离子液体凝胶。
2.根据权利要求1所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，所述抗辐照衬底为薄膜绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，所述薄膜绝缘材料为聚酰亚胺(PI)薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜。
4.根据权利要求1所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，所述碳纳米管粘附层为氧化铪、氧化铝、氧化硅、或氧化锆。
5.根据权利要求1所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，在所述碳纳米管层与所述聚合物离子液体凝胶的接触界面之间形成有缓冲层。
6.根据权利要求5所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，所述缓冲层为氧化铝或氧化铪。
7.根据权利要求6所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，所述缓冲层的厚度为20nm以下。
8.根据权利要求1所述的抗辐照碳纳米管晶体管，其特征在于，所述碳纳米管粘附层的厚度约为5nm。
9.一种抗辐照碳纳米管晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
提供抗辐照衬底；
在所述抗辐照衬底上形成碳纳米管粘附层；
在所述碳纳米管粘附层上形成碳纳米管层作为沟道材料；以及
至少在所述碳纳米管层的一部分上形成聚合物离子液体凝胶作为栅介质。
10.一种集成电路系统，其特征在于，包括权利要求1至8中任一项所述的抗辐照碳纳米管晶体管或者通过权利要求1所述的制造方法制造的抗辐照碳纳米管晶体管。
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