[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有至少两个凸起的鳍部，以及横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁的伪栅结构；

刻蚀相邻所述鳍部之间的部分伪栅结构，形成第二凹槽，所述第二凹槽在所述伪栅结构的延伸方向将所述伪栅结构分割为完全不连接的子伪栅结构；

在所述第二凹槽的侧壁形成保护层；

在所述保护层上形成阻挡层，且使所述阻挡层的顶面与所述子伪栅结构的顶面平齐。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀相邻所述鳍部之间的部分伪栅结构，形成第二凹槽，所述第二凹槽在所述伪栅结构的延伸方向将所述伪栅结构分割为完全不连接的子伪栅结构的方法包括：

刻蚀相邻所述鳍部之间的部分伪栅结构，形成第一凹槽；

扩展所述第一凹槽，使所述第一凹槽转化成第二凹槽，所述第二凹槽在所述伪栅结构的延伸方向将所述伪栅结构分割为完全不连接的子伪栅结构。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，扩展所述第一凹槽的方法包括：

氧化处理所述第一凹槽中连接所述子伪栅结构的侧壁，以形成氧化伪栅层；

去除所述氧化伪栅层，使所述第一凹槽转化成第二凹槽，且所述第二凹槽将相邻所述子伪栅结构完全隔开。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的气体包括氧气，所述氧气的流量为50sccm～5000sccm，反应压力为2mTorr～200mTorr，功率为50W～2000W。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的气体还包括惰性气体，所述惰性气体的流量为100sccm～2000sccm。

6.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀工艺去除所述氧化伪栅层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶剂包括氢氟酸和过氧化氢，所述氢氟酸与过氧化氢的体积比为(50～1000)∶1，刻蚀温度为20℃～50℃。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀相邻所述鳍部之间的部分伪栅结构。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括氯气、氧气和四氯化硅中的至少一种，其中所述氯气的流量为10sccm～1000sccm，氧气的流量为2sccm～200sccm，四氯化硅的流量为2sccm～50sccm，刻蚀温度为30℃～120℃。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，氮化处理所述第二凹槽的侧壁，以形成保护层。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氮化处理的气体包括氮气，所述氮气的流量为50sccm～1000sccm，反应压力为2mTorr～200mTorr，功率为50W～2000W。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氮化处理的气体还包括惰性气体，所述惰性气体的流量为100sccm～2000sccm。

13.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅及碳氮化硅中的至少一种。

14.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述子伪栅结构，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶剂包括四甲基氢氧化铵的水溶液或者氨水，刻蚀温度为20℃～50℃。