[发明专利]一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件

权利要求书

1.一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，包括：

N+衬底区(1)；

N-外延区(2)，设置在所述N+衬底区(1)上；

P-阱区(3)，设置在所述N-外延区(2)上；

N+注入区(4)，设置在所述P-阱区(3)上；

第一P+注入区(5)，位于所述N-外延区(2)内部，所述第一P+注入区(5)内设置有第一沟槽(6)；

第二P+注入区(7)，位于所述N-外延区(2)内部，且与所述第一P+注入区(5)间隔设置，所述第二P+注入区(7)内设置有第二沟槽(8)；所述第二P+注入区(7)在远离所述P-阱区(3)的一侧设置；

栅极，与所述P-阱区(3)和所述N+注入区(4)相邻设置，且部分位于所述N-外延区(2)和所述第一P+注入区(5)的内部，所述栅极的深度小于所述第一P+注入区(5)的深度；所述栅极下端远离所述P-阱区(3)的拐角位于所述第一P+注入区(5)的内部；

源极(9)，设置在所述P-阱区(3)和所述N+注入区(4)的侧壁、以及所述N+注入区(4)、所述第一P+注入区(5)、所述N-外延区(2)和所述第二P+注入区(7)上，所述源极(9)与所述N-外延区(2)的界面为肖特基接触；

漏极(10)，设置在所述N+衬底区(1)下表面；

所述栅极位于所述第一P+注入区(5)内部的宽度为0.2μm-0.7μm。

2.根据权利要求1所述的集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述源极(9)与所述P-阱区(3)、所述N+注入区(4)、所述第一P+注入区(5)、所述第二P+注入区(7)的界面为欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述第二P+注入区(7)的深度与所述第一P+注入区(5)的深度一致。

4.根据权利要求1所述的集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述栅极包括栅槽(11)和设置在所述栅槽(11)内部的栅极层(12)，所述栅槽(11)内壁与所述栅极层(12)之间设置有栅介质层(13)。

5.根据权利要求4所述的集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述栅槽(11)的深度为0.7μm-2μm，宽度为0.5μm-2μm。

6.根据权利要求1所述的集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述P-阱区(3)的深度为0.3μm-1.0μm，宽度为0.3μm-1.0μm，所述P-阱区(3)为高斯掺杂，表面掺杂浓度为5×10¹⁶cm^-3，峰值掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3，所述N+注入区(4)的深度为0.1μm-0.5μm，宽度0.3μm-1μm，掺杂浓度为1×10¹⁹-1×10²⁰cm^-3。

7.根据权利要求1所述的集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述第一P+注入区(5)和所述第二P+注入区(7)的深度为1.7μm-5μm，掺杂浓度为1×10¹⁹-1×10²⁰cm^-3，所述第一P+注入区(5)的宽度为1.2μm-1.5μm，所述第二P+注入区(7)的宽度为0.5μm-1μm。

8.根据权利要求1所述的集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述第一P+注入区(5)和所述第二P+注入区(7)之间的间距为1.5μm-5μm。

9.根据权利要求1所述的集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，所述第一沟槽(6)和所述第二沟槽(8)的深度为0.3μm-2.3μm，宽度为0.5μm-1.5μm。