[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有半导体芯片部，该半导体芯片部包含第1半导体芯片，该第1半导体芯片具有相对的第1主面及第2主面，在所述第1主面规定的第1元件区域形成有第1开关元件，在所述第1主面规定的第2元件区域形成有第1二极管元件，

所述第1开关元件包含：

第1发射极层，其形成于所述第1主面侧；

第1集电极层，其形成于所述第2主面侧；

第1栅极电极，其形成于所述第1主面侧；以及

第1电极膜，其形成为与所述第1发射极层接触，

所述第1二极管元件包含：

第1阳极层，其形成于所述第1主面侧；

第1阴极层，其形成于所述第2主面侧；以及

第2电极膜，其形成为与所述第1阳极层接触，

所述第1开关元件的所述第1电极膜、所述第1二极管元件的所述第2电极膜隔开距离，

该半导体装置具有配线导体，该配线导体包含将所述第1电极膜和所述第2电极膜电连接的部分，该配线导体具有阻抗。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1电极膜和所述第2电极膜是以位于隔开所述距离的所述第1电极膜和所述第2电极膜之间的部分的图案具有弯曲的部分的方式形成的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

该半导体装置具有保护环区域，该保护环区域是以包围所述第1元件区域及所述第2元件区域的方式沿所述第1半导体芯片的外周形成的，

所述保护环区域包含各自沿第1方向延伸并且在与所述第1方向交叉的第2方向隔开距离而相对的第1外周部及第2外周部，

所述第1元件区域包含第1元件区域第1部分和第1元件区域第2部分，

在所述第1元件区域第1部分形成有作为所述第1开关元件的第1开关元件第1部分，

在所述第1元件区域第2部分形成有作为所述第1开关元件的第1开关元件第2部分，

所述第1开关元件第1部分包含作为所述第1电极膜的第1电极膜第1部分，

所述第1开关元件第2部分包含作为所述第1电极膜的第1电极膜第2部分，

所述第1电极膜第1部分配置为沿所述第1方向与所述第1外周部相对，

所述第1电极膜第2部分配置为沿所述第1方向与所述第2外周部相对，

在所述第1电极膜第1部分与所述第1电极膜第2部分之间配置有所述第2电极膜。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

如果将所述第1外周部的所述第1方向的长度设为第1长度，

将所述第1电极膜第1部分的所述第1方向的长度设为第2长度，

则所述第2长度设定为大于或等于所述第1长度的三分之二。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

该半导体装置具有保护环区域，该保护环区域是以包围所述第1元件区域及所述第2元件区域的方式沿所述第1半导体芯片的外周形成的，

所述保护环区域包含各自沿第1方向延伸并且在与所述第1方向交叉的第2方向隔开距离而相对的第1外周部及第2外周部，

所述第2元件区域包含第2元件区域第1部分和第2元件区域第2部分，

在所述第2元件区域第1部分形成有作为所述第1二极管元件的第1二极管元件第1部分，

在所述第2元件区域第2部分形成有作为所述第1二极管元件的第1二极管元件第2部分，

所述第1二极管元件第1部分包含作为所述第2电极膜的第2电极膜第1部分，

所述第1二极管元件第2部分包含作为所述第2电极膜的第2电极膜第2部分，

所述第2电极膜第1部分配置为沿所述第1方向与所述第1外周部相对，

所述第2电极膜第2部分配置为沿所述第1方向与所述第2外周部相对，

在所述第2电极膜第1部分和所述第2电极膜第2部分之间配置有所述第1电极膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

该半导体装置具有保护环区域，该保护环区域是以包围所述第1元件区域及所述第2元件区域的方式沿所述第1半导体芯片的外周形成的，

所述第2电极膜不与所述保护环区域相对，

所述第1电极膜与所述保护环区域相对。