[发明专利]电池的测试方法和装置、电子设备及计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种电池的测试方法，其特征在于，包括：

获取至少一个测试过程片的厚度W、扩散方阻R_k和过程片方阻R₀，计算所述测试过程片的初始电阻率；

根据所述测试过程片的初始电阻率，计算得到所述测试过程片的隐形开路电压；

计算所述测试过程片的初始电阻率包括：

采用公式(1)计算所述测试过程片的初始电阻率ρ_bulk，

根据所述测试过程片的初始电阻率，计算得到所述测试过程片的隐形开路电压，包括：

根据所述测试过程片的初始电阻率，计算得到所述测试过程片的原始衬底掺杂浓度；

根据所述测试过程片的原始衬底掺杂浓度，计算得到所述测试过程片的隐形开路电压。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试过程片的原始衬底为P型硅衬底或N型硅衬底。

3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，对于所述P型硅衬底，根据所述测试过程片的初始电阻率，计算得到所述测试过程片的隐形开路电压，包括：

采用公式(2)计算得到所述测试过程片的原始衬底掺杂浓度N_A，

其中，q为物理常数，μ_p为空穴迁移率；

采用公式(3)计算得到所述测试过程片的隐形开路电压iVoc，

其中，k和均为物理常数，T为测试温度，Δn为电子载流子浓度，Δp为空穴变化浓度。

4.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，对于所述N型硅衬底，根据所述测试过程片的初始电阻率，计算得到所述测试过程片的隐形开路电压，包括：

采用公式(4)计算得到所述测试过程片的原始衬底掺杂浓度N_A，

其中，q为物理常数，μ_n为电子迁移率；

采用公式(5)计算得到所述测试过程片的隐形开路电压iVoc，

其中，k和均为物理常数，T为测试温度，Δp为空穴载流子浓度，Δn为电子变化浓度。

5.一种电池的测试装置，其包括权利要求1-4任一所述的电池的测试方法，其特征在于，包括：

测厚仪，用于测试至少一个测试过程片的厚度W；

电阻测试仪，用于测试所述测试过程片的原始衬底在扩散后的方阻R_k和所述测试过程片的方阻R₀；

处理模块，用于根据至少一个所述测试过程片的厚度W、扩散方阻R_k和过程片方阻R₀，计算所述测试过程片的隐形开路电压。

6.一种电子设备，其特征在于，包括：

一个或多个处理器；

存储装置，用于存储一个或多个程序，

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1～4中任一所述的电池的测试方法。

7.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1～4中任一所述的电池的测试方法。