[发明专利]显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202010485592.6 | 申请日: | 2020-06-01 |
公开(公告)号: | CN111725404B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 郑颖 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/56;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括基板、柔性衬底层以及无机阻挡层。所述柔性衬底层设于所述基板的一表面上。所述无机阻挡层覆于所述无机阻挡层的表面上。其中,所述柔性衬底层中具有透明聚酰亚胺和无机纳米颗粒。
技术领域
本发明涉及显示器件领域,特别是一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着科技的不断发展,显示技术领域也一直在持续更新。全面屏,作为一种全新的显示,由于极高的屏占比,给人们带来全新的视觉体验和感官冲击,成为显示厂商竞相追求的目标。真正的全面屏,即显示屏摄像头区域不进行开孔设计,摄像头直接置于屏幕下方。然而,对于摄像头而言,置于屏幕下方,意味着摄像头接收到的光线是穿过整个面板的,而目前主流的面板制造,由于众多膜层的堆叠,导致光损失较大,使得摄像头无法完美成像。
其中,用于制造柔性OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机电致发光二极管)器件的柔性层往往采用耐高温且热膨胀系数较小(热膨胀系数≈3ppm/℃)的黄色聚酰亚胺,但是黄色聚酰亚胺的可见光短波透过率非常低,无法满足屏下摄像头的光线透过率。为了保证摄像头的优异成像,越来越多的产品开始使用透过率更高的透明聚酰亚胺。但是,透明聚酰亚胺的结构决定了其较大的热膨胀系数(热膨胀系数≥20ppm/℃),在实际的应用中,由于后段制程存在较多的高温成膜及烘烤,使得透明聚酰亚胺在热制程下与上层薄膜出现较大的热应力,使柔性层出现屈曲或者透明聚酰亚胺上层的无机层出现裂痕等现象。
发明内容
本发明的目的是提供了一种显示面板及其制备方法,以解决现有技术中OLED器件的柔性层容易弯曲、无机层容易出现开裂脱落等问题。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板。所述显示面板包括基板、柔性衬底层以及无机阻挡层。所述柔性衬底层设于所述基板的一表面上。所述无机阻挡层覆于所述无机阻挡层的表面上。其中,所述柔性衬底层中具有透明聚酰亚胺和无机纳米颗粒。
进一步地,所述无机纳米颗粒为纳米二氧化硅。
进一步地,所述显示面板还包括缓冲层,所述缓冲层设于所述无机阻挡层上。
进一步地,所述缓冲层中具有硅氧化物、硅氮化物中的至少一种。
进一步地,在所述柔性衬底层中,所述透明聚酰亚胺的质量百分比为90-99%,所述无机纳米颗粒的质量百分比为1-10%。
进一步地,所述无机纳米颗粒的粒径为10-20纳米。
本发明中还提供一种显示面板的制备方法,所述制备方法总包括以下步骤:
提供一基板。在所述基板上形成柔性衬底层和无机阻挡层。其中,所述柔性衬底层的材料中具有透明聚酰亚胺和无机纳米颗粒。
进一步地,所述在所述基板上形成柔性衬底层和无机阻挡层步骤中包括以下步骤:
无机纳米颗粒预处理:将无机材料和硅烷偶联剂加入到乙醇溶液中后进行0.5-2小时的超声处理,然后将其进行陈化、过滤和干燥,得到所述无机纳米颗粒。
无机纳米颗粒复合透明聚酰亚胺:在混合罐中预先放入所述无机纳米颗粒,然后将透明聚酰亚胺原液加入到所述混合罐中,并通过超声处理将所述无机纳米颗粒分散均匀,得到混合液。
成膜:将所述混合液涂布在所述基板上,形成一液膜,然后经过低温真空干燥法除去大部分溶剂,最后在温度为300-400℃的环境下进行亚胺化,得到所述柔性衬底层以及所述无机阻挡层。
进一步地,所述显示面板的制备方法中还包括在所述无机阻挡层上形成缓冲层:在所述无机阻挡层上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积一层或多层无机材料,形成所述缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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