[发明专利]一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构有效
| 申请号： | 202010484293.0 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111786769B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 梁燕;卢振洲;李付鹏 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 局部 有源 忆阻器 混沌 电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路，其特征在于：电路包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源VD；直流电压源VD的负极与地端相连，正极与电阻R的一端相连；电阻R的另一端与电容C、电感L的一端相连；电感L的另一端与S型局部有源忆阻器LAM相连；S型局部有源忆阻器LAM的另一端与电容C的另一端相连后与地端相连；
所述S型局部有源忆阻器LAM的数学模型为：
其中i,v,x分别为流经S型局部有源忆阻器LAM的电流、S型局部有源忆阻器LAM两端的电压和S型局部有源忆阻器LAM的状态变量，d2和d0为设定的忆阻值，α1为展开系数，α0′,β1′都是常数。
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