[发明专利]半导体器件的金属化方法有效
| 申请号： | 202010481951.0 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111599679B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;邢军军;黄璇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/288;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属化 方法 | ||
1.一种半导体器件的金属化方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底中形成IGBT器件的元胞结构；
在所述衬底的正面形成金属电极；
对所述衬底的背面进行平坦化预处理，包括：对所述衬底的背面进行预研磨，利用化学药剂对所述衬底的背面进行抛光；
对所述衬底的背面进行TAIKO减薄；
在所述衬底的背面形成集电区；
利用化学镀工艺在所述衬底的正面镀上目标金属；
在所述衬底的背面形成金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学药剂为氢氟酸。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学药剂为硝酸。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用化学镀工艺在所述衬底的正面镀上目标金属，包括：
利用化学镀工艺在所述衬底正面的金属电极上镀上所述目标金属。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述目标金属包括两层，第一层目标金属为镍，第二层目标金属为金。
6.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述目标金属包括三层，第一层目标金属为镍，第二层目标金属为钯，第三层目标金属为金。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底的正面形成金属电极，包括：
在所述衬底的正面沉积层间介质层；
通过光刻和刻蚀工艺在所述层间介质层中形成接触孔；
在所述层间介质层表面沉积正面金属层；
通过光刻和刻蚀工艺形成所述金属电极。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底中形成IGBT器件的元胞结构，包括：
在所述衬底内形成漂移区；
在所述漂移区内形成基极区；
形成IGBT器件的栅极结构；
所述基极区内形成源区。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底的背面形成集电区，包括：
对所述衬底的背面进行离子注入并退火，形成所述IGBT器件的集电区。
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