[发明专利]和差双通道旁瓣抑制天线有效
申请号: | 202010481111.4 | 申请日: | 2020-05-31 |
公开(公告)号: | CN111541050B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 梁宇宏;邓宓原;张云;温剑;刘航 | 申请(专利权)人: | 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) |
主分类号: | H01Q21/06 | 分类号: | H01Q21/06;H01Q1/12;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/52 |
代理公司: | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人: | 郭纯武 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双通道 抑制 天线 | ||
1.一种和差双通道旁瓣抑制天线,包括:支撑天线罩(1)的阵列天线安装基座(2),固定在天线罩(1)中的前向阵列安装框架(3)上的前向阵列单元(4)和后向阵列安装框架(5)上的后向阵列单元(11),以及通过射频电缆连接前向阵列单元(4)和后向阵列单元(11)的波束形成网络(10),其特征在于:在前向阵列安装框架(3)上等间距排列的至少8个前向阵列单元(4)和固定在后向阵列安装框架(5)内的至少2个后向阵列单元(11);前向阵列单元(4)和后向阵列单元(11)采用相同的印刷振子天线,并且8个前向阵列单元(4)采用印刷振子天线等间距排布在前向阵列安装框架(3)的前向腹板上,各前向阵列单元(4)间距为低频的0.71个波长,2个后向阵列单元(11)采用与前向阵列单元(4)相同的印刷振子天线排布在后向阵列安装框架5的后向腹板上,间距为低频的0.47个波长;波束形成网络(10)通过射频电缆分别连接前向阵列单元(4)和后向阵列单元(11)的馈电接口(6),并通过射频电缆分别连接位于阵列天线安装基座(2)的和通道接口(8)、差通道接口(9),同时形成和波束与差波束;当和通道接口(8)输入射频信号时,形成前向阵列单元(4)和后向阵列单元(11)所需的第一种幅度与相位加权分布;当差通道接口(9)输入射频信号时,形成前向阵列单元(4)和后向阵列单元(11)所需的第二种幅度与相位加权分布;从而实现差通道信号对和通道信号旁瓣全覆盖的和差双通道旁瓣抑制阵列天线。
2.如权利要求1所述的和差双通道旁瓣抑制天线,其特征在于:每个前向阵列单元(4)均通过SMA型馈电接口(6)馈电。
3.如权利要求1所述的和差双通道旁瓣抑制天线,其特征在于:后向辐射阵元(11)采用与前向阵列单元(4)相同的印刷振子天线排布在后向阵列安装框架(5)的后向腹板上,间距为低频的0.47个波长,每个后向阵列单元(4)均通过SMA型馈电接口(6)馈电。
4.如权利要求1所述的和差双通道旁瓣抑制天线,其特征在于:前向阵列安装框架(3)的后向腹板的板面上固定有等距分布的三角加强板(7),前向腹板上排列的8个前向阵列单元(4)从左至右编号依次为Ant1~Ant8;后向阵列安装框架(5)的后向腹板上的两个后向阵列单元(11)从右至左编号依次为Ant9~Ant10。
5.如权利要求1所述的和差双通道旁瓣抑制天线,其特征在于:后向阵列单元(11)固定在阵列天线安装基座(2)的中部,和通道接口(8)和差通道接口(9)采用N-N型连接器连接固定在阵列天线安装基座(2)的平台上,并分别位于后向阵列单元(11)的两侧。
6.如权利要求1所述的和差双通道旁瓣抑制天线,其特征在于:波束形成网络(10)固定在前向阵列安装框架(3)的后向腹板上,位于前向阵列安装框架(3)和后向阵列安装框架(5)之间,并通过阵列天线安装基座(2)的平台做支撑。
7.如权利要求1所述的和差双通道旁瓣抑制天线,其特征在于:波束形成网络(10)包含编号分别为Port1~Port12的12个SMA型射频接口;波束形成网络(10)的10个射频接口与前向天线阵及后向天线阵的各个阵元的馈电接口(6)通过10根相同的SMA-SMA射频电缆对应连接,用于形成前向天线阵及后向天线阵所需的幅度与相位加权分布;波束形成网络(10)的另外2个射频接口与阵列天线安装基座(2)的和通道接口(8)、差通道接口(9)通过2根相同的SMA-N射频电缆分别对应连接,用于形成和波束与差波束。
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