[发明专利]扩展多电平升压逆变拓扑及调制方法有效
| 申请号: | 202010480518.5 | 申请日: | 2020-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN111740625B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 王要强;王凯歌;陈天锦;秦明;王克文;梁军 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
| 主分类号: | H02M7/483 | 分类号: | H02M7/483;H02M7/5387 |
| 代理公司: | 郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 | 代理人: | 武亚楠;黄军委 |
| 地址: | 450001 河南省郑州*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扩展 电平 升压 拓扑 调制 方法 | ||
1.一种扩展多电平升压逆变拓扑,其特征在于:包括半桥Ⅰ、半桥Ⅱ和扩展开关电容电路;
所述半桥Ⅰ包括开关管S1与开关管S2,所述半桥Ⅱ包括开关管S3与开关管S4;所述扩展开关电容电路包括开关电容基础模块和至少一级开关电容子模块;所述开关电容基础模块包括开关管S12、开关管S0、二极管D1和电解电容C1,所述开关电容子模块包括开关管Si1、开关管Si2、二极管Di和电解电容Ci,(i=2,3,……,n);
其中,所述半桥Ⅰ的开关管S1的集电极与所述开关电容基础模块的二极管D1的阴极相连接,所述开关管S1的发射极与所述开关管S2的集电极相连接;所述开关管S2的发射极与直流输入电源Vdc的负极相连接;
所述半桥Ⅱ的开关管S3的集电极与所述电解电容Ci的阳极相连接,所述开关管S3的发射极与所述开关管S4的集电极相连接;所述开关管S4的发射极与所述直流输入电源Vdc的负极相连接;
所述开关电容基础模块的开关管S12的发射极与所述电解电容C1的阴极和所述二极管Di的阳极相连接,所述开关管S12的集电极分别与所述直流输入电源Vdc的正极和所述二极管D1的阳极相连接;所述开关管S0的集电极分别与所述开关管Sn2的发射极、所述电解电容Ci的阴极和所述二极管Di的阴极相连接,所述开关管S0的发射极分别与所述直流输入电源Vdc的负极、所述开关管S2的发射极和所述开关管S4的发射极相连接;所述二极管D1的阴极分别与所述开关管Si1的集电极和所述电解电容Ci的阳极相连接;所述电解电容C1的阳极分别连接所述开关管Si1的发射极和所述开关管Si2的集电极相连接;
所述开关电容子模块的开关管Si1的集电极与所述电解电容Ci的阳极相连接,所述开关管Si1的发射极与所述开关管Si2的集电极相连接;所述开关管Si2的发射极与所述电解电容Ci的阴极和所述二极管Di的阴极相连接。
2.根据权利要求1所述的扩展多电平升压逆变拓扑,其特征在于:所述扩展多电平升压逆变拓扑包括至少两个开关电容子模块;按照与开关电容基础模块的位置关系,将相邻的两个开关电容子模块设置为前级开关电容子模块和后级开关电容子模块;
前级开关电容子模块的开关管Si1的集电极与后级开关电容子模块的开关管S(i+1)1的集电极相连接;前级开关电容子模块的电解电容Ci的阳极分别与后级开关电容子模块的S(i+1)1的发射电极和S(i+1)2的集电极相连接;前级开关电容子模块的二极管Di的阴极与后级开关电容子模块的二极管D(i+1)的阳极相连接。
3.一种扩展多电平升压逆变拓扑调制方法,其特征在于:通过驱动信号,控制权利要求1或2所述的扩展多电平升压逆变拓扑工作在2n+3种模态,输出2n+3种电平:0、±Vdc、±2Vdc、……、±(n+1)Vdc;其中,n为开关电容子模块的级数。
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