[发明专利]有机树脂膜的去除方法及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010475494.4 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN112015059A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 冈本和之;西村淳;市川雅士 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 郝家欢
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 树脂 去除 方法 半导体 装置 制造
【权利要求书】:

1.一种有机树脂膜的去除方法,其特征在于,包括:

光照射工序,向在构造物上被赋予的有机树脂膜,照射特定波长区域的光;剥离工序,在所述光照射工序后,从所述构造物上剥离所述有机树脂膜。

2.根据权利要求1所述的有机树脂膜的去除方法,其特征在于,所述有机树脂膜由包含感光剂的感光性树脂构成。

3.根据权利要求1或2所述的有机树脂膜的去除方法,其特征在于,所述特定波长区域的光是紫外区域的光。

4.根据权利要求1或2所述的有机树脂膜的去除方法,其特征在于,所述特定波长区域的光是在其波长分布中,在多个波长区域包含峰值的光。

5.根据权利要求1或2所述的有机树脂膜的去除方法,其特征在于,所述构造物设置在支撑基材上,

所述光照射工序以及所述剥离工序,通过连续搬送所述支撑基材,而能连贯地进行。

6.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包含权利要求1至5中任一项所述的有机树脂膜的去除方法。

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