[发明专利]具有在部分之间的电介质的半导体器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

衬底，所述衬底具有与第二表面相对的第一表面；

第一通道，所述第一通道从所述第一表面到所述第二表面延伸通过所述衬底；

聚合物，所述聚合物在所述第一通道中；

接触焊盘，所述接触焊盘在所述衬底的所述第一表面上；

钝化层，所述钝化层在所述衬底的所述第一表面上；

第一聚酰亚胺层，所述第一聚酰亚胺层在所述钝化层上；以及

再分布层，所述再分布层在所述第一聚酰亚胺层上，所述再分布层被电耦合到所述接触焊盘。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括：

第二聚酰亚胺层，所述第二聚酰亚胺层在所述第一聚酰亚胺层和所述再分布层上。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述衬底是单个硅裸片，所述硅裸片包括第一逻辑块和第二逻辑块，所述第二逻辑块通过所述第一聚合物层与所述第一逻辑块分离开。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述衬底还包括第一裸片和第二裸片，所述第一通道在所述第一裸片与所述第二裸片之间延伸通过所述衬底。

5.根据权利要求1所述的器件，还包括：

第二通道，所述第二通道在所述第一表面与所述第二表面之间延伸通过所述衬底，所述第二通道横向于所述第一通道，所述聚合物在所述第二通道中。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述衬底是单个硅裸片，所述硅裸片包括多个逻辑块，所述多个逻辑块中的每个逻辑块通过所述第一通道和所述第二通道与所述多个逻辑块中的对应的邻近逻辑块分离开。

7.根据权利要求5所述的器件，其中，所述衬底还包括多个裸片，所述多个裸片中的每个裸片通过所述第一通道和所述第二通道与所述多个裸片中的对应的邻近裸片分离开。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述聚合物包括与第二最外表面相对的第一最外表面，所述聚合物的所述第一最外表面和所述第二最外表面分别与所述衬底的所述第一表面和所述第二表面共面。

9.一种器件，包括：

衬底，所述衬底具有与第二表面相对的第一表面；

通道，所述通道在所述衬底的所述第一表面中，至少部分地延伸通过所述衬底；

电介质，所述电介质在所述通道中，所述电介质的最外表面与所述衬底的所述第一表面共面；

接触焊盘，所述接触焊盘在所述衬底的所述第一表面中；

钝化层，所述钝化层在所述衬底的所述第一表面上；

第一聚酰亚胺层，所述第一聚酰亚胺层在所述钝化层上；以及

再分布层，所述再分布层在所述第一聚酰亚胺层上，所述再分布层被电耦合到所述接触焊盘。

10.根据权利要求9所述的器件，还包括：

第二聚酰亚胺层，所述第二聚酰亚胺层在所述第一聚酰亚胺层和所述钝化层上。

11.根据权利要求9所述的器件，其中，所述衬底包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第三部分被耦合在所述第一部分与所述第二部分之间，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分中的每个部分限定所述通道的侧壁。

12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述第三部分的厚度小于50微米。

13.根据权利要求11所述的器件，其中，所述第一部分是第一逻辑块，并且所述第二部分是第二逻辑块，其中所述通道和所述电介质在所述第一逻辑块与所述第二逻辑块之间。