[发明专利]一种基于SOD材料的新型半导体填隙装置在审
| 申请号: | 202010474676.X | 申请日: | 2020-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN111599724A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
| 发明(设计)人: | 许桂林 | 申请(专利权)人: | 江西全道半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 11642 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 344200 江西省抚*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 sod 材料 新型 半导体 填隙 装置 | ||
本发明提供一种基于SOD材料的新型半导体填隙装置,包括筒体,所述筒体的顶端固定连接有连接杆,所述连接杆远离筒体的另一端安装有U型框,所述U型框的内侧安装有输料管,所述输料管的侧面安装有填隙件,且所述输料管的侧面贯穿U型框的侧面并连通有连接管,所述连接管的另一端安装并连通有螺纹管。通过连接管另一端的螺纹管与筒体侧面的螺纹套螺纹连接,握住握把推动活塞板可使筒体内侧的物料进入到输料管内,输料管侧面安装的三个填隙头顶端开设的方形孔可对半导体之间的缝隙进行均匀填充,筒体顶端安装的料筒正面的观察窗口侧面设有刻度线,刻度线可方便工人观察料筒内的物料情况,及时添加。
技术领域
本发明属于新型半导体填隙装置技术领域,尤其涉及一种基于 SOD材料的新型半导体填隙装置。
背景技术
新型半导体是热电或温差现象经常用来测量温度,而相反的过程 (在通过电流时会在两触头之间产生温差)也经常用于小型便携式冰箱,特别是汽车上用的冰箱。但是对于要产生大容量电力,这样的热电效应几乎没有用处,因为热电效应产生的电力非常弱,即最不同材料组成的热电偶能提供的效率非常小。
根据公开号CN201720889206.3的一种桥式整流器模块,包括底板,陶瓷基板,所述陶瓷基板设置在底板上方,电极组件,所述电极组件包括:第一电极、第二电极和第三电极,所述第一电极和第二电极设置在陶瓷基板的两端上方,半导体芯片组件,所述半导体芯片组件包括:分别固定连接于第一电极上的第一半导体芯片和固定连接于第二电极上的第二半导体芯片,所述第一电极延伸至第二半导体芯片上方并与其固定连接,所述第三电极固定连接于第一半导体芯片上方壳体,所述壳体具有三个电极孔,所述第一电极、第二电极和第三电极依次穿过三个电极孔,并折弯至与壳体的上表面接触,所述壳体还具有一用于灌装环氧树脂的灌装孔,所述灌装孔配合有灌装上盖,具体地,所述灌装孔设置在壳体的一端,所述灌装孔的形状为矩形。该设备虽在灌装孔上配合使用灌装上盖,避免壳体内用于填缝的环氧树脂从灌装孔中流出,保证了环氧树脂的填缝性能,减少因为环氧树脂从灌装孔中流出而造成桥臂模块内填缝性能降低引起的次品率提高的概率,但现有设备填隙效果差,不能满足现有技术要求。
于是,有鉴于此,针对现有的结构及缺失予以研究改良,提供一种基于SOD材料的新型半导体填隙装置,以期达到更具有更加实用价值性的目的。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种基于SOD材料的新型半导体填隙装置,由以下具体技术手段所达成:
一种基于SOD材料的新型半导体填隙装置,包括筒体,所述筒体的顶端固定连接有连接杆,所述连接杆远离筒体的另一端安装有U型框,所述U型框的内侧安装有输料管,所述输料管的侧面安装有填隙件,且所述输料管的侧面贯穿U型框的侧面并连通有连接管,所述连接管的另一端安装并连通有螺纹管,所述筒体的顶部安装有输料组件,所述输料组件包括料筒,所述料筒的底部连通有排料管,所述排料管的侧面安装有流量阀,所述料筒的正面安装有观察窗口,所述观察窗口的侧面设有刻度线,所述筒体的底端连通有滑套,所述滑套的内侧滑动连接有位于筒体内侧的滑杆,所述滑杆位于筒体内侧的一端安装有活塞板,所述滑杆的另一端安装有握把。
进一步的,所述填隙件包括填隙头,所述填隙头的顶端开设有方形孔,且所述填隙头的侧面设有防滑纹,从而可方便拆卸填隙头。
进一步的,所述筒体的侧面安装并连通有螺纹套,所述螺纹套的内侧与螺纹管螺纹连接。
进一步的,所述筒体的顶部安装有固定座,所述固定座与排料管连通。
进一步的,所述筒体的侧面开设有弧形槽,所述弧形槽的内侧粘连有防滑垫,从而避免工人出现手滑操作。
进一步的,所述滑杆的外侧活动套接有位于筒体与握把之间的伸缩弹簧,从而可使滑杆顶端的活塞板复位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





