[发明专利]阵列基板、显示模组及显示装置有效
| 申请号: | 202010473507.4 | 申请日: | 2020-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN111682027B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
| 发明(设计)人: | 王天赐;金慧俊;潘陟成 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201100 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 模组 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、显示模组及显示装置,涉及显示技术领域,阵列基板包括显示区、非显示区,非显示区包括栅极驱动单元;阵列基板包括依次设置的衬底基板、第三金属层、第一金属层和第二金属层;栅极驱动单元包括第一晶体管和第一电容,第一晶体管包括栅电极、源极和漏极,复用部分第一金属层形成栅电极,复用部分第二金属层形成源漏极,复用部分第一金属层形成第一极板,复用部分第三金属层形成第二极板,第一极板和第二极板在衬底基板上的正投影至少部分交叠;栅电极覆盖源漏极在衬底基板上的正投影。设置第一电容所需的非显示区区域和设置第一晶体管所需的非显示区区域至少部分重合,减小整个栅极驱动单元所占用的非显示区空间。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种阵列基板、显示模组及显示装置。
背景技术
现有技术中,设置于显示装置非显示区中的栅极驱动单元只包含两层金属层,例如第一金属层和第二金属层;现有栅极驱动单元中至少包括有一个电容和一个晶体管,其中该电容和该晶体管共用膜层设置,也即电容通过复用部分第一金属层和部分第二金属层形成,晶体管也通过复用部分第一金属层和部分第二金属层形成,由于形成电容和晶体管的区域不能够重叠,则现有技术中设置于栅极驱动单元中的电容和晶体管所需的面积较大,使得栅极驱动单元的金属走线距离面板边缘的距离不足够大,在一定程度上影响了框胶涂布,可能会导致框胶固化不良或者框胶涂覆宽度不够等不良现象的发生,也不能够满足当下对显示装置窄边框的设置需求。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种阵列基板、显示模组及显示装置,用以改善栅极驱动单元中设置电容和晶体管所需面积过大的问题。
第一方面,本申请提供一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述非显示区包括栅极驱动单元;
所述阵列基板包括衬底基板、第一金属层、第二金属层和第三金属层,其中,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第三金属层设置于所述第一金属层和所述衬底基板之间;
任一所述栅极驱动单元包括第一晶体管和第一电容,所述第一晶体管包括栅电极、源极和漏极,复用至少部分所述第一金属层形成所述栅电极,复用至少部分所述第二金属层形成所述源极和所述漏极;所述第一电容包括沿垂直于所述衬底基板的方向相对设置的第一极板和第二极板,复用至少部分所述第一金属层形成所述第一极板,且复用至少部分所述第三金属层形成所述第二极板,所述第一极板在所述衬底基板上的正投影和所述第二极板在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述栅电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影。
第二方面,本申请提供了一种显示模组,所述显示模组包括阵列基板。
第三方面,本申请提供了一种显示装置,所述显示装置包括显示模组。
与现有技术相比,本发明提供的一种阵列基板、显示模组及显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本申请通过在现有技术中栅极驱动单元包括第一金属层和第二金属层的基础上,在第一金属层远离第二金属层的一侧增设一第三金属层,进而通过将栅极驱动单元中的第一晶体管和第一电容在膜层结构的层叠方向上设置,使得设置第一电容所需的非显示区区域和设置第一晶体管所需的非显示区区域至少部分重合,以减小整个栅极驱动单元所占用的非显示区空间,有利于窄边框化显示装置的实现。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





