[发明专利]一种垂直互连晶圆级封装方法及结构

权利要求书

1.一种垂直互连晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供第一裸硅基体，在其正、背面制作n层再布线并切割成垂直互连通道单元，其中n≥1；

提供第二裸硅基体，通过临时键合胶与玻璃载板键合，刻蚀出凹槽并埋入垂直互连通道单元；

在第二裸硅基体正、背面制作n层再布线；

在第二裸硅基体背面焊接若干个第一异构或异质芯片并在底部填充底填料，在正面生长凸点；

切割分离形成单颗三维系统级封装单元。

2.如权利要求1所述的垂直互连晶圆级封装方法，其特征在于，刻蚀出凹槽并埋入垂直互连通道单元后，所述垂直互连晶圆级封装方法还包括：在所述凹槽中埋入第二异构或异质芯片，所述第二异构或异质芯片的焊垫朝外。

3.如权利要求1或2所述的垂直互连晶圆级封装方法，其特征在于，通过在裸硅正面和背面进行精细研磨，以形成第一裸硅基体；所述第一裸硅基体的厚度不小于1μm。

4.如权利要求1或2所述的垂直互连晶圆级封装方法，其特征在于，所述n层再布线包括钝化层和金属线路层；所述钝化层为无机材料或聚酰亚胺或树脂，所述金属线路层为金属材质的一种或多种；

所述无机材料包括SiO2、SiN和SiC；所述金属材质包括Ti、W、Cu、Ni和Au。

5.如权利要求1或2所述的垂直互连晶圆级封装方法，其特征在于，在第二裸硅基体正、背面制作n层再布线包括：

在第二裸硅基体正面制作n层再布线；

拆卸所述玻璃载板并清洗干净键合胶，在所述第二裸硅基体背面制作n层再布线。

6.如权利要求1或2所述的垂直互连晶圆级封装方法，其特征在于，利用倒装焊接技术通过微凸点将若干个第一异构或异质芯片焊接在所述第二裸硅基体背面。

7.一种垂直互连晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

第二裸硅基体，所述第二裸硅基体开有凹槽；

垂直互连通道单元，埋在所述凹槽中；

所述第二裸硅基体正、背面均制作有n层再布线；所述第二裸硅基体背面通过微凸点焊接有若干个第一异构或异质芯片，正面生长有凸点。

8.如权利要求7所述的垂直互连晶圆级封装结构，其特征在于，所述凹槽中还埋有第二异构或异质芯片，所述第二异构或异质芯片的焊垫朝外。

9.如权利要求7或8所述的垂直互连晶圆级封装结构，其特征在于，所述垂直互连通道单元包括第一裸硅基体，所述第一裸硅基体正、背面均制作有n层再布线。