[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有鳍部；

在所述基底上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，且所述伪栅极结构侧壁表面具有第二保护层；

对所述第二保护层进行改性处理，使所述第二保护层形成第二改性层；

进行清洗工艺。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述清洗工艺对第二改性层的刻蚀速率在预设范围之内。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部表面具有第一保护层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层和第二保护层为多孔材料，且所述第二保护层材料的孔隙率大于所述第一保护层材料的孔隙率。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理还使所述第一保护层形成第一改性层，所述清洗工艺对第一改性层的刻蚀速率在预设范围之内。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的形成工艺包括：原子层沉积工艺。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料包括：氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的材料包括：氧化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅极结构的形成方法包括：在所述基底上形成覆盖所述鳍部顶部表面和侧壁表面的伪栅极材料膜；刻蚀所述伪栅极材料膜，在所述基底上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述伪栅极材料膜的过程中，在所述伪栅极结构侧壁表面形成所述第二保护层。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述伪栅极材料膜的过程中，在所述伪栅极结构表面或鳍部表面产生副产物。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理包括：化学处理。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学处理为氮化处理；所述氮化处理的参数包括：通入的气体包括氮气，氮气的流量为300标准毫升/分钟至1000标准毫升/分钟，压强为10毫托至100毫托，源功率为300瓦至1000瓦，时间为5秒至30秒。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理包括：热处理。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述热处理的工艺包括：快速热退火；所述快速热退火的参数包括：温度范围为700摄氏度至900摄氏度，时间范围为5秒至20秒。

16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述清洗工艺包括：湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀溶液包括稀氢氟酸溶液，水和氢氟酸的体积比例范围为90:1至110:1。

17.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述伪栅极材料膜，在所述基底上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构的方法包括：在所述伪栅极材料膜表面形成图形化层，所述图形化层用于定义伪栅极结构的位置和尺寸；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述伪栅极材料膜，直至暴露出基底表面，在所述基底上形成所述伪栅极结构，且所述伪栅极结构位于所述鳍部的部分顶部和侧壁表面。