[发明专利]一种纳米结构低介电常数聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米结构低介电常数聚合物制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

S1，将水溶性聚乙二醇微粉或油溶性蜡粉采用熔融喷雾法制成10～100μm颗粒作为造孔剂；

S2，按照质量比将3-60份造孔剂或1-30份成孔剂SiO₂空心微球与100份聚四氟乙烯粉混合；

S3，将混合物过筛得到混合均匀的粉料；

S4，将粉料模具压制成型；

S5，采用乙醇或溶剂汽油浸出油溶性蜡粉；或采用热水浸出水溶性聚乙二醇微粉；

S6，将浸出物与余料分离，得到余料块体；

S7，将余料块体在常压下、链式烧结炉中空气烧结1-4h，即得低介电常数纳米结构或纳米纤维结构的聚合物。

2.根据权利要求1所述的一种纳米结构低介电常数聚合物制备方法，其特征在于，所述油溶性蜡粉为石蜡、微晶石蜡、硬脂酸或硬脂醇。

3.根据权利要求1所述的一种纳米结构低介电常数聚合物制备方法，其特征在于，所述SiO₂空心微球为球直径10～120μm壁厚小于5μm的薄壁球。

4.根据权利要求1所述的一种纳米结构低介电常数聚合物制备方法，其特征在于，所述聚乙二醇分子量为2000～10000。

5.根据权利要求1所述的一种纳米结构低介电常数聚合物制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，热水温度为60-80℃。

6.根据权利要求1所述的一种纳米结构低介电常数聚合物制备方法，其特征在于，所述步骤S7中，余料块体在温度为380-450℃烧结。

7.一种基于权利要求1-6任一项所述方法制备的纳米结构低介电常数聚合物，其特征在于，聚合物包括以下质量比的原料：

造孔剂0-60份、成孔剂0-30份、聚四氟乙烯粉100份。

8.根据权利要求7所述的一种纳米结构低介电常数聚合物，其特征在于，所述聚合物的介电常数达1.65；工作频率在50Hz～80GHz，透波率97％，损耗0.87/m，适用温度范围为-200-250℃。