[发明专利]钝化层微裂纹的检测方法在审
| 申请号： | 202010462604.3 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111599707A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 金波;曾旭 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化 裂纹 检测 方法 | ||
1.一种钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，包括:
将待检测样品浸入腐蚀溶液，所述腐蚀溶液通过钝化层中的微裂纹进入与所述微裂纹接触的金属层，腐蚀所述金属层以形成金属腐蚀空洞；以及
在光学显微镜下观察所述金属腐蚀空洞的分布。
2.根据权利要求1所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，所述腐蚀溶液包括盐酸或硝酸。
3.根据权利要求2所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，所述腐蚀溶液中还加有表面活性剂。
4.根据权利要求3所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，所述腐蚀溶液包括3％重量的表面活性剂、8％重量的盐酸及89％重量的去离子水。
5.根据权利要求1所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，将待检测样品浸入腐蚀溶液之前，还包括采用表面活性剂对所述钝化层进行处理。
6.根据权利要求5所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，采用表面活性剂对所述钝化层进行处理之前，还包括对所述待检测样品进行清洗以去除所述微裂纹中和/或所述钝化层表面的沾污，使所述微裂纹完整暴露。
7.根据权利要求6所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，对所述待检测样品进行清洗采用的清洗溶液包括氢氟酸、硝酸及氢氟酸与硝酸的混合溶液。
8.根据权利要求7所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，所述清洗溶液包括2％重量的硝酸、2％重量的氢氟酸及96％重量的去离子水。
9.根据权利要求8所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，还包括在第一设定温度范围对所述待测样品进行清洗，和/或在第二设定温度范围将所述待检测样品浸入腐蚀溶液。
10.根据权利要求9所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，所述第一设定温度范围和第二设定温度范围均为40℃～60℃。
11.根据权利要求1-10任一项所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，所述腐蚀溶液中还添加有缓冲试剂。
12.根据权利要求11任一项所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，所述缓冲试剂包括醋酸溶液。
13.根据权利要求1-10任一项所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，所述钝化层包括与所述金属层接触的氧化硅层及位于所述氧化硅层上的氮化硅层。
14.根据权利要求1-10任一项所述的钝化层微裂纹的检测方法，其特征在于，所述金属层的材料包括铝或铝合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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