[发明专利]电阻式随机存取存储器装置及其形成方法

权利要求书

1.一种电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，包括：

一栅极结构，其位于一衬底上；

一源极区和一漏极区，其配置于该衬底上的该栅极结构的两侧

上，其中该源极区包括一半导体块体，且该漏极区包括邻近该半导体块体的多个半导体鳍片，及其中所述多个半导体鳍片彼此被一隔离层分隔；以及

多个电阻式随机存取存储器单元，其中每一个所述多个电阻式随机存取存储器单元都与所述多个半导体鳍片的其中之一电连接。

2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，还包括：

一轻掺杂区，位于所述多个半导体鳍片的下方部分；以及

一重掺杂区，位于所述多个半导体鳍片的上方部分。

3.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该轻掺杂区的电阻大于100k欧姆。

4.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该轻掺杂区与该重掺杂区的深度比为1-3。

5.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，每一个所述多个电阻式随机存取存储器单元都以一接触件与所述多个半导体鳍片的其中之一电连接，其中该接触件的一下方部分埋设于所述多个半导体鳍片的该重掺杂区中，且该接触件的该下方部分有一斜边。

6.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该衬底包括一阱区，且其中所述多个半导体鳍片延伸至该阱区中。

7.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，还包括:垂直于该栅极结构的多个位线，其中每一个所述多个位线都与所述多个电阻式随机存取存储器装置的其中之一电连接；以及平行于该栅极结构的一源极线，其中该源极线与该半导体块体电连接。

8.一种电阻式随机存取存储器装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，其具有一源极区和邻近该源极区的一漏极区；

凹蚀该衬底，以形成一半导体块体于该源极区中且形成多个彼此平行的半导体鳍片于该漏极区中，其中所述多个半导体鳍片邻近该半导体块体；

形成一栅极结构于该衬底上，其中该源极区与该漏极区位于该栅极结构的两侧上；以及

形成多个电阻式随机存取存储器单元，其中每一个所述多个电阻式随机存取存储器单元都与所述多个半导体鳍片的其中之一电连接。

9.如权利要求8所述的电阻式随机存取存储器装置的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述多个半导体鳍片上执行一第一注入工艺，以形成一轻掺杂区于所述多个半导体鳍片的一下方部分；以及

在所述多个半导体鳍片上执行一第二注入工艺，以形成一重掺杂区于所述多个半导体鳍片的一上方部分。

10.如权利要求9所述的电阻式随机存取存储器装置的形成方法，其特征在于，还包括：

形成多个接触件于所述多个半导体鳍片上，其中每一个所述多个电阻式随机存取存储器单元都以所述多个接触件与所述多个半导体鳍片的其中之一电连接，其中所述多个接触件的一下方部分埋设于所述多个半导体鳍片的所述多个重掺杂区中，其中形成所述多个接触件包括：

刻蚀所述多个半导体鳍片，以形成一接触件开口于所述多个半导体鳍片的该重掺杂区中，其中该接触件开口的一侧壁与该接触件开口的一底部表面之间的一角度为135度；以及

沉积一导电材料于该接触件开口中，以形成所述多个接触件。