[发明专利]一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺

说明书

本发明的一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，在陶瓷基板上下面的芯片贴装位置进行预先挖腔，封装时将FC芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，将盖板通过合金熔封的工艺焊接在陶瓷基板四周的焊接区内，并在陶瓷基板背面植球，完成封装。通过在陶瓷基板两侧面挖腔形成上空腔和下空腔，上空腔和下空腔内分别安装有FC芯片，使得陶瓷基板的封装空间变大，提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了陶瓷封装的外形尺寸。

技术领域

本发明属于芯片陶瓷封装技术领域，具体来说是一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，越来越多的芯片种类被开发出来以适用于不同的市场需求，其中FC芯片是为现阶段封装所使用的主流芯片之一。然而现有的FC芯片的陶瓷封装结构由于内部空间小，存在难以满足需求的问题。

发明内容

1.发明要解决的技术问题

本发明的目的在于解决现有的FC芯片陶瓷封装结构由于内部空间小，难以满足需求的问题。

2.技术方案

为达到上述目的，本发明提供的技术方案为：

本发明的一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，在陶瓷基板两侧面的芯片贴装位置进行预先挖腔，封装时将FC芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，将盖板通过合金熔封的工艺焊接在陶瓷基板四周的焊接区内，并在陶瓷基板背面植球，完成封装。

优选的，所述封装工艺具体包括如下步骤：

S100、挖腔，在陶瓷基板两侧面的芯片贴装位置进行挖腔；

S200、绝缘，对同一面的腔体之间进行相互隔离；

S300、贴装，将FC芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并进行固定；

S400、粘合，使用填充胶填充FC芯片与陶瓷基板之间；

S500、封帽，将盖板通过合金熔封的方式焊接在陶瓷基板顶部的焊接区内；

S600、植球，对陶瓷基板背面植球，完成封装。

优选的，所述步骤S100中的挖腔具体为先将各生瓷片通过激光或者机械冲制在相应位置开出槽，再将各层生瓷片叠加在一起进行烧结，该相应位置的槽在叠加一起之后形成了腔体。

优选的，所述步骤S200中的相互隔离具体是将腔体之间陶瓷体上打满接地孔。

优选的，所述步骤S300中的贴装具体为将FC芯片以表贴的方式贴装到陶瓷基板的腔体中，贴装精度控制在±35um以内。

优选的，所述步骤S400具体为使用填充胶填充FC芯片与陶瓷基板之间后，再进行烘烤使得填充胶凝固，所述烘烤的具体过程为将陶瓷基板置于150℃的温度下烘烤30～40分钟，使填充胶完全固化。

优选的，所述步骤S400中的粘合具体为对腔体中的FC芯片底部的锡球进行底部填充胶。

优选的，所述步骤5600中焊接区的宽度为1.5～2.0mm。

优选的，所述挖腔深度为0.2～0.4mm。

3.有益效果

采用本发明提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：