[发明专利]激光发射器调节电路及方法、激光发射器

权利要求书

1.一种激光发射器调节电路，其特征在于，包括：

用于检测激光器芯片温度的温度检测器；

位于激光发射器内且具有单向导电性的温度调节件，所述温度调节件用于受控地产生热量并将所产生的热量传递至激光发射器内部的激光器芯片；以及，

与所述温度调节件电路连接的调节单元，用于调节所述温度调节件的信号强度，通过调节所述温度调节件的信号强度对所述温度调节件产生的热量进行调节，以通过调节所述温度调节件产生的热量调节激光器芯片的温度。

2.根据权利要求1所述的激光发射器调节电路，其特征在于，

所述温度调节件布置于所述激光器芯片的上方，以通过所述激光器芯片支撑所述温度调节件。

3.根据权利要求1所述的激光发射器调节电路，其特征在于，

所述温度调节件位于所述激光器芯片的一侧，且与所述激光器芯片的侧面紧贴布置。

4.根据权利要求1所述的激光发射器调节电路，其特征在于，

所述激光发射器内部还配置有基板，所述温度调节件与所述激光器芯片间隔布置于所述基板上，所述温度调节件产生的热量通过所述基板传递给所述激光器芯片。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的激光发射器调节电路，其特征在于，

所述温度调节件工作于反向击穿状态。

6.根据权利要求5所述的激光发射器调节电路，其特征在于，

所述温度调节件为稳压二极管。

7.根据权利要求2-4中任一项所述的激光发射器调节电路，其特征在于，

所述温度调节件为普通二极管、三极管、场效应管或可控硅。

8.一种激光发射器，其特征在于，包括：

内部配置有激光器芯片的壳体；以及

权利要求1-7中任一项所述的激光发射器调节电路，所述激光发射器调节电路配置于所述壳体内。

9.根据权利要求8所述的激光发射器，其特征在于，

所述壳体内形成有凸台，所述激光发射器调节电路配置于所述凸台上。

10.一种激光发射器调节方法，其特征在于，包括：

检测激光器芯片的温度；

若所述激光器芯片的温度未达到预设温度值，则调节温度调节件的信号强度，通过调节温度调节件的信号强度对温度调节件产生的热量进行调节；

通过改变所述温度调节件所产生的热量调节所述温度调节件传递至激光发射器内激光器芯片的温度。