[发明专利]氧化铝模板、高度垂直有序锑纳米线阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化铝模板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供铝箔；

在所述铝箔的第一面形成有序排列的多个凹坑结构；

将所述铝箔通过阳极氧化形成氧化铝模板，其中，所述多个凹坑结构进一步氧化形成多个有序排列的孔阵列；

在所述氧化铝模板的第一面沉积导电层，且所述导电层还封住所述孔阵列的开口；

在所述导电层上沉积支撑层；

除去所述氧化铝模板第二面的铝箔和部分氧化铝层，暴露到所述多个有序排列的孔阵列；

对氧化铝模板的第二面进行扩孔处理。

2.根据权利要求1所述的氧化铝模板的制备方法，其特征在于，阳极氧化时的电解液为酸与醇的混合溶液，所述酸选自磷酸、硫酸、草酸或柠檬酸；所述醇为无水乙醇、甲醇或乙二醇。

3.根据权利要求2所述的氧化铝模板的制备方法，其特征在于，阳极氧化时的电解液为磷酸和甲醇的水溶液，其中磷酸、甲醇和水的体积比为1∶(10～20)∶100。

4.根据权利要求3所述的氧化铝模板的制备方法，其特征在于，阳极氧化时，所述铝箔为阳极，惰性电极为阴极，电压为150V～170V，温度为4℃～10℃。

5.根据权利要求1所述的氧化铝模板的制备方法，其特征在于，提供铝箔工艺中，所述的铝箔预先进行过表面清洗和抛光，所述清洗和抛光工艺包括：

清洗所述铝箔；

以所述铝箔为阳极，惰性电极为阴极，在体积比为1∶(5～7)的高氯酸和乙醇的混合溶液中，在电压为20V～35V的条件下抛光2min～4min。

6.根据权利要求1所述的氧化铝模板的制备方法，其特征在于，通过压印法在所述铝箔的第一面形成有序排列的多个凹坑结构。

7.根据权利要求1所述的氧化铝模板的制备方法，其特征在于，所述导电层的材质选自金、钛、铝、锡、铬或锌。

8.根据权利要求1所述的氧化铝模板的制备方法，其特征在于，所述支撑层的材质选自镍、钛、铝、铜或锌。

9.根据权利要求1所述的氧化铝模板的制备方法，其特征在于，采用氯化铜、盐酸和水组成的混合溶液除去所述氧化铝层，其中盐酸与水的体积比为(0.1～0.3)∶1，所述氯化铜与水的质量比为(0.05～0.1)∶1。

10.根据权利要求1所述的氧化铝模板的制备方法，其特征在于，对第二面的氧化铝模板进行扩孔处理的工艺为：在磷酸溶液中，在30℃～60℃的条件下扩孔25min～55min。

11.一种氧化铝模板，其特征在于，由权利要求1至10任一项所述的氧化铝模板的制备方法制备获得，所述氧化铝模板上具有若干有序排列的孔阵列，所述孔的孔径为80nm～320nm，所述氧化铝模板的第一面沉积有导电层，且所述导电层还封住所述孔阵列的开口，所述导电层上沉积有支撑层。

12.一种高度垂直有序锑纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1至10任一项所述的氧化铝模板的制备方法制备获得氧化铝模板，且所述氧化铝模板具有若干有序排列的孔阵列，其中孔的孔径为80nm～320nm；

以所述氧化铝模板为工作电极，惰性电极为对电极，在氧化铝模板的孔内沉积锑；

除去所述氧化铝模板，获得高度垂直有序锑纳米线阵列。

13.根据权利要求12所述的高度垂直有序锑纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在氧化铝模板的孔内沉积锑的电解液为锑盐和表面活性剂的水溶液。