[发明专利]一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法

权利要求书

1.一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，对等离子体处理后的材料表面具有金属纳米阵列图案的基片进行高温处理，所述高温处理的温度范围是300～500℃。

2.根据权利要求1所述的一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，所述高温处理的时间范围是4～24h。

3.根据权利要求2所述的一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，包括以下步骤：

I、将嵌段共聚物溶解于溶剂中，配制成溶液a；

II、将金属前驱体加入步骤I配制的溶液a中，形成溶液b，所述金属前驱体为氯金酸、氯铂酸、氯铑酸、氯钯酸或氯铱酸；

III、将待改性的材料基片用洗液清洗；

IV、分别将每一片基片匀速浸入到步骤II配制的溶液b中，再以一定的速度匀速从溶液b中提拉出来；

V、利用等离子体处理技术处理步骤IV浸渍过的基片；

VI、高温处理步骤V得处理后的基片。

4.根据权利要求3所述的一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，所述步骤I中所使用的嵌段共聚物为PS-b-P2VP，聚苯乙烯PS段分子量范围是15000～220000g/mol，聚乙烯基吡啶P2VP段分子量范围是3000～60000g/mol。

5.根据权利要求3所述的一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，所述步骤I中的溶剂包括甲苯、二甲苯、四氢呋喃、氯仿中的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，所述步骤II中的金属前驱体与步骤I中的聚乙烯基吡啶的摩尔比为0.1～0.9:1。

7.根据权利要求6所述的一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，所述金属前驱体为氯金酸。

8.根据权利要求3所述的一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，所述步骤III中的材料基片包括玻璃、石英片或硅片。

9.根据权利要求3所述的一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，所述步骤IV中提拉速度为50～1000μm/s。

10.根据权利要求3所述的一种材料表面金属纳米阵列图案化改性方法，其特征在于，所述步骤V中的等离子体处理的时间为15min～4h，功率是50～400W。