[发明专利]一种显示面板及显示装置在审
| 申请号: | 202010454743.1 | 申请日: | 2020-05-26 | 
| 公开(公告)号: | CN111613633A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 | 
| 发明(设计)人: | 张丽君 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/12;H01L49/02 | 
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 | 
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及一种显示面板及显示装置,本发明的点光源在基板上的投影区域在存储电容在基板上的投影区域内,以此减小显示面板内部像素的平面尺寸,提高每英寸所拥有的像素数量,提高显示面板的拟真度,实现显示面板更细腻的显示效果,提高客户体验感。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来,并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机,借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。
随着可穿戴显示设备的快速发展,出现了Micro LED(微发光二极管)技术。MicroLED技术即LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。Micro LED的耗电量远小于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)一样属于自发光,能够将像素之间的距离从毫米等级降至微米等级,色彩饱和度接近OLED,相较于现有的有机发光二极管技术,MicroLED显示装置具有亮度更高、发光效率更好、功耗更低的优点,所以很多厂商把Micro LED视为下一代的显示技术。
Micro LED属电流控制器件。如图1所示,采用micro LED的显示背板通常需要采用2T1C架构实现电流控制,即在一个子像素内需容纳T1(第一晶体管)、T2(第二晶体管)、Cst(存储电容)、点光源。为降低T2的特性差异对micro LED亮度一致性产生的影响,产生了各种nTnC的补偿驱动电路(如4T2C,6T2C),即一个子像素内要容纳更多的驱动器件。
如图2所示,现有的2T1C架构内的2个TFT、1个电容、1个点光源采用器件平铺的方式,即每个器件独立占据空间,器件间不交叠。此种设计的像素平面尺寸大、无法满足更高PPI(Pixels Per Inch,像素密度)的设计需求。为了追求更细腻的显示效果,我们需要减小像素平面尺寸。因此,需要寻求一种新型的显示面板以实现最优化的像素设计的空间利用。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板及显示装置,其能够解决现有的显示面板中存在的像素尺寸平面大,PPI低等问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种显示面板,其包括基板;存储电容,设置于所述基板上;以及点光源,设置于所述存储电容上方;所述点光源在所述基板上的投影区域在所述存储电容在所述基板上的投影区域内。
进一步的,其中所述存储电容包括第一导电层,设置于所述基板上;第一绝缘层,覆盖于所述第一导电层上;第二导电层,设置于所述第一绝缘层上;以及第二绝缘层,设置于所述第二导电层上。
进一步的,所述显示面板还包括第一电极,设置于所述第二绝缘层上,且通过过孔连接至所述第二导电层上;以及第二电极,设置于所述第二绝缘层上,且与所述第一电极间隔设置。
进一步的,其中所述点光源包括P极半导体,设置于所述第一电极上,且电连接于所述第一电极上;发光层,设置于所述P极半导体上;以及N极半导体,设置于所述发光层上,且电连接至所述第二电极上。
进一步的,其中所述第一导电层和所述第二导电层的材质均为金属。
进一步的,其中所述金属包括铜和/或钼。
进一步的,其中所述第一电极和第二电极的材质均包括:铜、钼以及ITO中的一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





