[发明专利]一种菊花脱毒苗的培养方法

权利要求书

1.一种小菊脱毒苗的培养方法，包括如下步骤：

（1）将感染病毒的小菊进行预脱毒处理，得到预脱毒小菊；所述预脱毒处理为用病毒唑溶液注射所述感染病毒的小菊；所述病毒唑溶液浓度为8-10 mg/L；注射剂量为3-5 mL；

（2）将所述预脱毒小菊的茎段依次在不定芽诱导培养基和增殖培养基中进行培养，得到无菌苗；

（3）将所述无菌苗进行热处理，得到热处理后无菌苗；

所述热处理包括三个阶段；

第一阶段处理1-5天，处理条件如下：白天28℃、晚上25℃，湿度为30-50 %；

第二阶段处理6-12天，处理条件如下：白天33℃、晚上28℃，湿度为30-50 %；

第三阶段处理13-35天，处理条件如下：白天39℃、晚上33℃，湿度为30-50 %；

（4）将从所述热处理后无菌苗上剥离的茎尖在CHR-1培养基中进行培养，直至得到长为0.8-1.0 mm的茎尖；

茎尖剥离的方法包括如下步骤：将所述热处理后无菌苗割下菊苗顶端1-2 cm，然后接种于茎尖固定培养基中，在所述茎尖固定培养基中剥离茎尖；所述茎尖固定培养基由MS培养基和琼脂组成；

所述CHR-1培养基由改良的MS培养基、活性炭、6-BA、NAA、蔗糖和琼脂组成；所述活性炭在所述CHR-1培养基中的浓度为500 mg/L，所述6-BA在所述CHR-1培养基中的浓度为0.3mg/L，所述NAA在所述CHR-1培养基中的浓度为0.1 mg/L，所述蔗糖在所述CHR-1培养基中的浓度为30 g/L，所述琼脂在所述CHR-1培养基中的浓度为5 g/L；所述改良的MS培养基由NaH₂PO₄·H₂O、KNO₃、(NH₄)₂SO₄、MgSO₄·7H₂O、CaCl₂·2H₂O、FeSO₄·7H₂O、Na₂EDTA、MnSO₄·4H₂O、ZnSO₄·7H₂O、H₃BO₃、KI、Na₂MoO₄·7H₂O、CuSO₄·5H₂O、CoCl₂·6H₂O、盐酸硫胺素、盐酸吡哆醇、烟酸、甘氨酸、肌醇和水组成；其中，NaH₂PO₄·H₂O在所述CHR-1培养基中的浓度为112.5 mg/L；KNO₃在所述CHR-1培养基中的浓度为2250 mg/L；(NH4)₂SO₄在所述CHR-1培养基中的浓度为90 mg/L；MgSO₄·7H₂O在所述CHR-1培养基中的浓度为375 mg/L；CaCl₂·2H₂O在所述CHR-1培养基中的浓度为440 mg/L；FeSO₄·7H₂O在所述CHR-1培养基中的浓度为27.8mg/L；Na₂EDTA在所述CHR-1培养基中的浓度为37.3 mg/L；MnSO₄·4H₂O在所述CHR-1培养基中的浓度为22.3 mg/L；ZnSO₄·7H₂O在所述CHR-1培养基中的浓度为8.6 mg/L；H₃BO₃在所述CHR-1培养基中的浓度为6.2 mg/L；KI在所述CHR-1培养基中的浓度为0.83 mg/L；Na₂MoO₄·7H₂O在所述CHR-1培养基中的浓度为0.25 mg/L；CuSO₄·5H₂O在所述CHR-1培养基中的浓度为0.025 mg/L；CoCl₂·6H₂O在所述CHR-1培养基中的浓度为0.025 mg/L；盐酸硫胺素在所述CHR-1培养基中的浓度为0.02 mg/L；盐酸吡哆醇在所述CHR-1培养基中的浓度为0.5 mg/L；烟酸在所述CHR-1培养基中的浓度为0.5 mg/L；甘氨酸在所述CHR-1培养基中的浓度为2mg/L；肌醇在所述CHR-1培养基中的浓度为100 mg/L；

（5）将所述长为0.8-1.0 mm的茎尖在茎尖分化培养基中进行培养，得到小菊植株；

所述茎尖分化培养基由MS培养基、6-BA、NAA、活性炭、蔗糖和琼脂组成；所述6-BA在所述茎尖分化培养基中的浓度为0.2 mg/L，所述NAA在所述茎尖分化培养基中的浓度为0.1mg/L，所述活性炭在所述茎尖分化培养基中的浓度为0.5 g/L，所述蔗糖在所述茎尖分化培养基中的浓度为30 g/L，所述琼脂在所述茎尖分化培养基中的浓度为5 g/L；

所述感染病毒的小菊为感染番茄不孕病毒TAV的小菊。