[发明专利]一种中温段热电材料及其制备方法有效
| 申请号: | 202010452940.X | 申请日: | 2020-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN111628071B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 姜晶;牛夷;杨铖铖;王超 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L35/16 | 分类号: | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 陈一鑫 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 中温段 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种中温段热电材料的制备方法,具体包含以下步骤:
步骤1:将Ag,Cu,Te及CuI按照Ag1-xCu1+xTe1-yIy化学计量比在惰性气体氛围中称量,其中的-0.5≤x≤0.5,0<y≤0.2;
步骤2:将步骤1中称量好的原料进行球磨,获得均匀的粒径约为90~120nm的Ag1-xCu1+xTe1-yIy纳米粉末;
步骤3:在惰性氛围里,取1.5~3.0g步骤2所得到的纳米粉末,转移至内径为12.8mm的石墨套管中,采用石墨柱从两端对石墨套管内的纳米粉末以3-9Mpa的压力进行冷压处理;
步骤4:将整个石墨套管、石墨柱一起置于温度为373-773K,压强为60-80MPa的环境中,烧结3-10min;然后自然冷却至室温,形成致密的块体材料。
2.如权利要求1所述的一种中温段热电材料的制备方法,其特征在于所述步骤3中采用的石墨套管高度为40mm,外径为40mm的圆柱,石墨柱是直径为12.7mm,高度为18mm的圆柱。
3.如权利要求2所述的一种中温段热电材料的制备方法,其特征在于所述步骤3和步骤4中的石墨套管、石墨柱、纳米粉末两两之间设置有一层石墨纸。
4.如权利要求1所述的一种中温段热电材料的制备方法,其特征在于所述步骤3中烧结方式为热压烧结或放电等离子烧结。
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