[发明专利]一种八管双端口静态随机存取存储器及其制备方法

说明书

本发明涉及一种八管双端口静态随机存取存储器及其制备方法，以及一种计算机可读存储介质。该存储器包括第一门管、第二门管、第三门管及第四门管。所述第二门管的导通阻抗小于所述第一门管的导通阻抗，以使从所述第一组读写双向端口的第一读写端口流入的第一读取电流与从所述第一组读写双向端口的第二读写端口流入的第二读取电流相等。所述第四门管的导通阻抗小于所述第三门管的导通阻抗，以使从所述第二组读写双向端口的第一读写端口流入的第三读取电流与从所述第二组读写双向端口的第二读写端口流入的第四读取电流相等。本发明能够有效地提升速度偏慢的读写端口的读取速度。

技术领域

本发明涉及存储器装置的制备工艺，尤其涉及一种八管双端口静态随机存取存储器(Eight-transistor Dual Port Static Random Access Memory，8T DP-SRAM)，以及该八管双端口静态随机存取存储器的一种制备方法。

背景技术

在半导体数字逻辑芯片的代工领域，经常使用静态随机存取存储器作为存储工具。由八个晶体管(Eight Transistor，8T)组成的双端口静态随机存取存储器(Dual-portSRAM)具有两组读写双向端口。各组读写双向端口的两个读写端口都可以提供读取数据和写入数据的功能。

在现有的八管双端口静态随机存取存储器中，通常采用具有相同尺寸的晶体管来作为各读写端口的门管。通常情况下，这些具有相同尺寸的晶体管都具有相同或相近的电气参数，用于使八管双端口静态随机存取存储器的各读写端口保持一致。

然而，在八管双端口静态随机存取存储器的实际应用中，由于存储器中各晶体管元件的不对称的布局结构，从各组读写双向端口的第一读写端口流入的正向读取电流与从其第二读写端口流入的反向读取电流普遍存在电流值不一致的现象。电流值较小的反向读取电流会导致通过第二读写端口执行数据读取操作的速度较慢，从而造成八管双端口静态随机存取存储器的各读写端口性能不对称的问题。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种八管双端口静态随机存取存储器的制备工艺，用于弥补晶体管布局结构不对称导致的各读写端口性能不对称的问题，通过对电流偏小、速度偏慢的端口进行电流提升与速度提升来改善对应端口的性能。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种八管双端口静态随机存取存储器、该八管双端口静态随机存取存储器的一种制备方法，以及一种计算机可读存储介质，用于弥补晶体管布局结构不对称导致的各读写端口性能不对称的问题。通过对电流偏小、速度偏慢的读写端口进行电流提升，本发明提供的上述八管双端口静态随机存取存储器及其制备方法可以有效地提升对应端口的读取速度。

本发明提供的上述八管双端口静态随机存取存储器，包括第一门管、第二门管、第三门管、第四门管、第一上拉管、第二上拉管、第一下拉管，以及第二下拉管。

所述第一门管的漏极用作所述存储器的第一组读写双向端口的第一读写端口。所述第一门管的栅极适于连接第一字线(Word Line)。所述第一门管的源极连接所述存储器的内部节点。所述第二门管的漏极用作所述第一组读写双向端口的第二读写端口。所述第二门管的栅极适于连接所述第一字线。所述第二门管的源极连接所述存储器的反相内部节点。所述第三门管的漏极用作所述存储器的第二组读写双向端口的第一读写端口。所述第三门管的栅极适于连接第二字线。所述第三门管的源极连接所述存储器的所述反相内部节点。所述第四门管的漏极用作所述第二组读写双向端口的第二读写端口。所述第四门管的栅极适于连接所述第二字线。所述第四门管的源极连接所述存储器的所述内部节点。