[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，其特征在于，包括：

出气口，所述出气口与抽气单元连接；

第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于在所述抽气单元抽气时，对抽气气流中携带的副产物进行吸附，以减少所述副产物在所述抽气单元上的沉积。

2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一吸附过滤单元，包括：

网格板，所述网格板包括：一个以上的通气孔；

冷却水管道，弯曲排布于所述网格板上除所述通气孔之外的其它区域。

3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述冷却水管道，包括：

冷却水注入口和冷却水排放口，用于替换新的冷却水。

4.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述通气孔的形状具体为如下任意一种：

圆形、方形、矩形和菱形。

5.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述出气口与所述抽气单元的连接处设置有阀门。

6.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括：

静电卡盘，位于所述反应腔室内部，用于支撑晶圆，所述第一吸附过滤单元位于所述静电卡盘与所述抽气单元之间。

7.一种半导体加工设备，其特征在于，包括：

抽气单元、清洁单元以及如权利要求1-6中任一所述的反应腔室；

所述反应腔室的出气口通过第一管道与所述抽气单元连接；

所述抽气单元与所述清洁单元通过第二管道连接。

8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述第二管道上设置有第二吸附过滤单元。

9.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述抽气单元具体为如下任意一种：

旋片机械泵、吸附泵、扩散泵、钛升华泵、溅射离子泵和涡轮分子泵。

10.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述出气口与所述第一管道之间设置有阀门，用于实现所述反应腔室与该第一管道之间的导通和关闭。