[发明专利]一种多极镁电解槽用半硅砖及其制备工艺

权利要求书

1.一种多极镁电解槽用半硅砖，其特征在于，该半硅砖原料包括以下重量份的组分：叶腊石熟料颗粒30-50份、高岭土熟料颗粒10-20份、叶腊石细粉10-20份、高岭土粘土细粉15-25份、硅石细粉3-10份、硅微粉3-10份、纸浆溶液1-2份。

2.如权利要求1所述的多极镁电解槽用半硅砖，其特征在于，该半硅砖原料包括以下重量份的组分：叶腊石熟料颗粒36-42份、高岭土熟料颗粒12-17份、叶腊石细粉12-17份、高岭土粘土细粉18-22份、硅石细粉4-7份、硅微粉4-8份、纸浆溶液1-2份。

3.如权利要求2所述的多极镁电解槽用半硅砖，其特征在于，该半硅砖原料包括以下重量份的组分：叶腊石熟料颗粒40份、高岭土熟料颗粒15份、叶腊石细粉15份、高岭土粘土细粉20份、硅石细粉5份、硅微粉5份、纸浆溶液1.5份。

4.如权利要求1-3任一项所述的多极镁电解槽用半硅砖，其特征在于，所述叶腊石熟料颗粒粒径为1-3mm，所述高岭土熟料颗粒粒径为0-1mm。

5.如权利要求1-3任一项所述的多极镁电解槽用半硅砖，其特征在于，所述叶腊石细粉与硅石细粉为180目细粉。

6.如权利要求1-3任一项所述的多极镁电解槽用半硅砖，其特征在于，所述半硅砖的制备工艺包括以下步骤：

1)按比例叶腊石熟料颗粒30-50份、高岭土熟料颗粒10-20份、叶腊石细粉10-20份、高岭土粘土细粉15-25份、硅石细粉3-10份、硅微粉3-10份、纸浆溶液1-2份，称取原料，将各原料在混碾机中进行混碾制成泥料，然后困料24h以上，待用；

2)将经步骤1)困料后的泥料送入全自动数控压砖机机压成型、成型后的砖坯采用干燥器进行干燥，干燥温度为90-200℃；

3)将干燥后的砖坯送入高温隧道窑烧成，烧结温度为1330-1350℃，砖坯经过烧成、冷却、出窑、检选、包装，检验合格出厂，即得半硅砖。