[发明专利]包括栅极结构和分隔结构的半导体器件

说明书

提供了一种包括栅极结构和分隔结构的半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源区和第二有源区；绝缘层，位于第一有源区与第二有源区之间；第一栅极结构，位于第一有源区和绝缘层上，第一栅极结构在绝缘层上具有第一端部；第二栅极结构，位于第二有源区和绝缘层上，第二栅极结构具有在第一方向上面对第一端部的第二端部，第二端部位于绝缘层上；以及分隔结构，位于第一端部与第二端部之间并且延伸到绝缘层中。分隔结构包括下部、中间部分和上部，中间部分在第一方向上的最大宽度大于下部在第一方向上的最大宽度，并且中间部分在第一方向上的最大宽度大于上部在第一方向上的最大宽度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年5月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0064022的优先权的权益，通过引用将其公开内容全部并入本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件，例如，涉及包括栅极结构和分隔结构的半导体器件及其形成方法。

背景技术

为了提高产品的价格竞争力，对提高半导体器件的集成度的需求越来越大。这里，可以执行半导体器件的缩小，以便提高集成度。随着半导体器件的集成度的增加，半导体器件的栅电极/线路的尺寸变得越来越小，栅电极/线路之间的距离逐渐减小。

发明内容

本发明构思的一个方面在于提供一种能够提高集成度的半导体器件。

本发明构思的一个方面在于提供一种包括能够电隔离栅极结构的分隔结构的半导体器件。

本发明构思的一个方面在于提供一种形成半导体器件的方法，该半导体器件包括能够电隔离栅极结构的分隔结构。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源区和第二有源区；绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一有源区与所述第二有源区之间；第一栅极结构，所述第一栅极结构设置在所述第一有源区和所述绝缘层上，所述第一栅极结构具有设置在所述绝缘层上的第一端部；第二栅极结构，所述第二栅极结构设置在所述第二有源区和所述绝缘层上，所述第二栅极结构具有在第一方向上面对所述第一栅极结构的所述第一端部的第二端部，所述第二端部设置在所述绝缘层上；以及分隔结构，所述分隔结构设置在所述第一栅极结构的所述第一端部与所述第二栅极结构的所述第二端部之间并且延伸到所述绝缘层中。所述分隔结构包括下部、位于所述下部上的中间部分和位于所述中间部分上的上部，所述分隔结构的所述中间部分在所述第一方向上的最大宽度大于所述分隔结构的所述下部在所述第一方向上的最大宽度，并且所述分隔结构的所述中间部分在所述第一方向上的最大宽度大于所述分隔结构的所述上部在所述第一方向上的最大宽度。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：多个第一栅极结构，所述多个第一栅极结构设置在衬底上并且在第一方向上延伸；多个第二栅极结构，所述多个第二栅极结构设置在所述衬底上并且在所述第一方向上延伸；以及分隔结构，所述分隔结构设置在所述衬底上。所述多个第一栅极结构和所述多个第二栅极结构具有彼此面对的端部，所述分隔结构包括多个下部、分别设置在所述多个下部上的多个中间部分以及设置在所述多个中间部分上的上部，所述上部包括分别从所述多个中间部分延伸的多个第一上部和设置在所述多个第一上部上的一个第二上部，所述多个中间部分和所述多个第一上部分别设置在所述多个第一栅极结构的端部与所述多个第二栅极结构的端部之间，所述多个中间部分中的每一个中间部分具有在与所述第一方向相交的第二方向上的延伸宽度，所述多个下部中的每一个下部具有在所述第二方向上的下宽度，所述多个第一上部的每一个第一上部具有在所述第二方向上的上宽度，在所述第二方向上的所述延伸宽度大于在所述第二方向上的所述下宽度并且大于在所述第二方向上的所述上宽度。