[发明专利]半导体模块在审

专利信息
申请号: 202010448966.7 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN112018181A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 宫地修平;小泽崇晴;藤田敏博 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/739;H01L23/495
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;杨林森
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块
【说明书】:

一种半导体模块,包括:半导体装置;树脂模制件,其一体地密封半导体装置;以及外部端子,其沿垂直于半导体装置的厚度方向的方向布置在树脂模制件的横向侧。每个半导体装置包括具有栅电极、第一电极和第二电极的绝缘栅半导体装置。在绝缘栅半导体装置中,载流子通过由施加至栅电极的电压提供的沟道从第一电极移动至第二电极。外部端子包括:电连接至栅电极的栅极端子;电连接至第一电极的第一端子;以及电连接至第二电极的第二端子。电连接至同一半导体装置的栅极端子和第二端子彼此不相邻。

技术领域

本公开内容涉及半导体模块。

背景技术

2017-152727 A描述了在半导体模块中,多个半导体装置集成地容纳在树脂模制件(resin mold)中。半导体装置的栅电极、漏电极和源电极分别电连接至树脂模制件的横向延伸的栅极端子、漏极端子和源极端子。

发明内容

JP 2017-152727 A描述了栅极端子、漏极端子和源极端子以所述的顺序布置在半导体模块中。由于栅极端子和漏极端子彼此相邻,所以栅极端子和漏极端子可能会彼此接触。当栅极端子和漏极端子彼此接触时,称为直通电流(through current)的大电流流经半导体装置,并且半导体装置可能具有由发热引起的热击穿。

在本公开内容的一个或更多个实施方式中,即使在包括多个半导体装置的半导体模块中相邻的外部端子彼此接触的情况下,也可以抑制半导体装置的热击穿。

根据本公开内容的一方面,半导体模块包括:半导体装置;树脂模制件,其一体地密封半导体装置;以及外部端子,其沿着垂直于半导体装置的厚度方向的方向布置在树脂模制件的横向侧。厚度方向被定义为竖向方向。每个半导体装置包括具有栅电极、第一电极和第二电极的绝缘栅半导体装置。在绝缘栅半导体装置中,载流子通过由施加至栅电极的电压提供的沟道从第一电极移动至第二电极。外部端子包括:电连接至栅电极的栅极端子;电连接至第一电极的第一端子;以及电连接至第二电极的第二端子。电连接至同一半导体装置的栅极端子和第二端子彼此不相邻。

根据本公开内容的一方面,半导体装置是包括栅电极、第一电极和第二电极的绝缘栅半导体装置。在半导体装置中,载流子通过由施加至栅电极的电压提供的沟道从第一电极侧移动至第二电极侧。在以上半导体装置中,在栅电极和第二电极短路的情况下,直通电流流经半导体装置。在栅电极和第一电极短路的情况下,或者在第一电极和第二电极短路的情况下,大电流不流经半导体装置。在电连接至同一半导体装置的栅极端子和第二端子被防止彼此相邻的情况下,即使相邻的外部端子彼此接触,也可以抑制半导体装置的热击穿。

附图说明

根据以下参照附图进行的详细描述,本公开内容的上述及其他目的、特征和优点将变得更加明显。在附图中:

图1A是示出根据第一实施方式的半导体模块的平面图;

图1B是示出根据第一实施方式的半导体模块的平面图;

图2是示出在图1A、图1B所示的半导体模块中去除了树脂模制件的状态的立体图;

图3是示出在图1A、图1B所示的半导体模块中去除了树脂模制件的状态的平面图;

图4是沿图3的线IV-IV截取的截面图。

图5是示出图1A和图1B所示的半导体模块中的半导体装置的元件结构的截面图;

图6是应用了根据第一实施方式的半导体模块的电动助力转向系统的示意图;

图7是示出图6所示的电动助力转向系统的驱动电路的图;

图8A是示出根据第二实施方式的半导体模块的平面图;

图8B是示出根据第二实施方式的半导体模块的平面图;

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