[发明专利]碳化硅晶体生长装置

权利要求书

1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：

生长炉，所述生长炉包括纵向设置的石英管，所述石英管内形成有用于碳化硅晶体生长的石英腔室，所述石英管为单层结构；

外罩，所述外罩套设于所述生长炉的外部，所述外罩的内壁与所述石英管的外壁之间形成有排风通道，所述外罩的底端设有进风口，所述外罩的顶端设有出风口；

排风系统，所述排风系统与所述出风口连通。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述排风系统包括排风管道、热交换器和风机，所述排风管道的一端与所述出风口连通，所述排风管道的另一端与所述热交换器连接，所述热交换器与所述风机的进气端连接，所述风机的出气端与外部排气管道连接。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述外罩的底端开放且所述外罩的底端悬空，以形成所述进风口。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述外罩的侧壁外表面设有冷却水管路。

5.根据权利要求3所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述冷却水管路沿所述外罩的周向在所述外罩的侧壁外表面呈脉冲状或螺旋状分布。

6.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述排风通道与所述排风管道连通，且所述排风通道的宽度在80mm至120mm之间。

7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述生长炉还包括底座，所述底座与所述石英管的底部固定连接。

8.根据权利要求6所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述石英管的顶部封闭，所述底座设有与所述石英腔室连通的尾气出口。

9.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述石英管的外壁设有电磁感应线圈。

10.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，还包括固定架，所述固定架与所述外罩的侧壁固定连接，所述固定架用于支撑所述外罩。