[发明专利]一种半导体溅射腔保护罩加工方法及半导体溅射腔保护罩

权利要求书

1.一种半导体溅射腔保护罩加工方法，其特征在于，所述的加工方法包括：

柱状结构的原料坯体依次经粗加工和精加工后得到保护罩，所述的保护罩为一端封口的中空结构罩体，包括环形薄壁以及位于环形薄壁一侧开口处的端盖；在对原料坯体粗加工形成端盖的过程中，预留端盖在厚度方向的加工余量；

所述的加工方法具体包括如下步骤：

S1对柱状结构的原料坯体进行粗加工，一体成型得到保护罩粗坯，所述的保护罩粗坯为一端封口的中空结构罩体，包括环形薄壁以及位于环形薄壁一侧开口处的端盖，在粗加工形成端盖的过程中，预留端盖在厚度方向的加工余量；预留了加工余量的端盖厚度为15～20mm；

S2在端盖中心处加工成型直径为100～200mm的固定孔，夹具内撑固定孔，对保护罩粗坯的环形薄壁进行精加工得到保护罩精坯；

S3保护罩精坯的环形薄壁上按预设孔位铣出直径为8～12mm的第一固定孔、直径为8～12mm的第二固定孔、直径为50～60mm的第三固定孔和宽度为20～25mm的通槽，环形薄壁远离端盖一侧铣出阶梯状的弧形缺口；第一固定孔的圆心与第二固定孔的圆心相对；通槽的几何中心与第三固定孔的圆心相对；第一固定孔圆心与第二固定孔圆心的连线垂直于第三固定孔圆心与通槽几何中心的连线；

S4切除粗加工过程中预留的端盖加工余量，得到保护罩成品，切除了加工余量后的保护罩成品的端盖厚度为5～8mm；

步骤S1中，所述的粗加工过程包括依次进行的一次粗车和二次粗车；

所述的一次粗车过程具体包括：

使用钻头在原料胚体的一侧端面中心处钻孔形成加工孔，车床车刀伸入加工孔后沿加工孔周向外扩切削直至原料坯体内部掏空得到外侧面的直径为360～380mm、内侧环面的直径为320～340mm的保护罩原坯，所述的保护罩原坯包括环壁以及位于环壁一侧开口处的端盖，在一次粗车形成端盖的过程中，预留端盖在厚度方向的加工余量；

所述的二次粗车过程包括：

保持预留了加工余量的端盖厚度不变，对保护罩原坯的环壁外侧面和内侧面进行二次粗车切削得到外侧面直径为355～365mm、环壁内侧面直径为340～350mm的保护罩粗坯，端盖与环壁外侧面的相接处形成垂直高度差；

对保护罩粗坯的环壁外侧面和环壁内侧面进行精加工得到保护罩精坯。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，步骤S1中，所述的原料坯体的高度为210～220mm。

3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述的原料坯体的直径为370～390mm。

4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述的加工孔的直径为40～60mm。

5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述的保护罩原坯的高度为200～220mm。

6.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述的保护罩原坯的开口端面至底面的深度为180～200mm。

7.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述的端盖与环壁外侧面的相接处形成5～8mm的垂直高度差。

8.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述保护罩精坯的环壁外侧面直径比保护罩粗坯的环壁外侧面直径小3～8mm。

9.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述保护罩精坯的环壁内侧面直径比保护罩粗坯的环壁内侧面直径大3～8mm。

10.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述的保护罩精坯的环壁厚度为2.5～4.5mm。

11.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述通槽在长度方向的对称轴与保护罩开口端面之间的距离为140～150mm。