[发明专利]具有环绕式电极的半导体装置

说明书

一种半导体装置的实施例包括第一半导体区域，所述第一半导体区域形成于半导体衬底内；第二半导体区域，所述第二半导体区域形成于所述半导体衬底内；第一电极，所述第一电极耦接到所述第一半导体区域；第二电极，所述第二电极耦接到所述第二半导体区域并且接近所述第一电极，其中所述第二电极被所述第一电极环绕。第三电极可以耦接到所述第一电极和所述第二半导体区域。第四电极可以耦接到所述第一半导体区域并且接近所述第三电极，其中所述第四电极可以耦接到所述第二电极，并且其中所述第三电极包括所述第一电极的共享部分。

技术领域

本文描述的主题的实施例总体上涉及包括二极管的半导体装置。

背景技术

半导体装置应用于各种各样的电子组件和系统中。用于射频(RF)以及高速切换和控制应用的有用半导体装置包括p-i-n二极管、p-n二极管、肖特基二极管和相关装置。具体地说，p-i-n二极管由于其低电容、高击穿电压和可调谐电容范围而可用于高频率和高功率整流器应用中。这些二极管装置充当受偏置控制电容器/电阻器，并且以RF开关、移相器和限幅器形式得到应用。在这些装置的这些应用和其它应用中，需要降低装置电阻。降低装置电阻对于降低这些应用的切换损耗并改善这些应用的频率响应很重要。因此，期望具有降低电阻的半导体装置，包括p-i-n二极管。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种半导体装置，包括：

半导体衬底；

第一半导体区域，所述第一半导体区域形成于所述半导体衬底内；

第二半导体区域，所述第二半导体区域形成于所述半导体衬底内；

第一电极，所述第一电极耦接到所述第一半导体区域；

第二电极，所述第二电极耦接到所述第二半导体区域并且接近所述第一电极，其中所述第二电极被所述第一电极环绕；

第三电极，所述第三电极耦接到所述第一电极并且耦接到所述第一半导体区域，其中所述第三电极包括所述第一电极的共享部分；以及

第四电极，所述第四电极耦接到所述第二半导体区域并且接近所述第三电极，其中所述第四电极耦接到所述第二电极。

根据一个或多个实施例，所述第一电极被配置为阳极，所述第二电极被配置为阴极，所述第三电极被配置为阳极，并且所述第四电极被配置为阴极。

根据一个或多个实施例，所述第一电极被配置为阴极，所述第二电极被配置为阳极，所述第三电极被配置为阴极，并且所述第四电极被配置为阳极。

根据一个或多个实施例，所述第一半导体区域形成于所述半导体衬底的上部部分中，并且所述第二半导体区域形成于所述第一半导体区域下方。

根据一个或多个实施例，所述第一半导体区域包括p型半导体，并且所述第二半导体区域包括n型半导体。

根据一个或多个实施例，所述第一半导体区域包括n型半导体，并且所述第二半导体区域包括p型半导体。

根据一个或多个实施例，第三半导体区域形成于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间。

根据一个或多个实施例，所述第一电极被配置为环绕所述第二电极的环。

根据一个或多个实施例，所述第三半导体区域包括本征半导体。

根据一个或多个实施例，所述半导体装置包括第一子单元和第二子单元，其中所述第一子单元的至少一部分包括所述第一电极和第二电极区域，并且其中所述第二子单元的至少一部分包括所述第三电极和所述第四电极。