[发明专利]烧结的R2

权利要求书

1.一种制造R₂M₁₇合金磁体的方法，其中，R是由Ce、La、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y组成的组中的至少一种，M包括Co、Fe、Cu和Zr，其中，R₂M₁₇合金包括随着温度降低包含第一相区、第二相区和第三相区的相图，相图包括第一相区与第二相区之间的第一边界以及第二相区与第三相区之间的第二边界，第一相区包括处于平衡状态的液相和固体R₂M₁₇相，并且第二相区包括具有大于95％的相分数的固体R₂M₁₇主要相，第三相区包括处于平衡状态的不同的组成的至少两种固相，所述至少两种固相包括固体R₂M₁₇相，所述方法包括以下步骤：

在高于第一边界并在第一相区中的第一温度T_S下对包括2R和17M的比率的坯体进行热处理，随后

将所述坯体进行冷却通过第一边界并且在第一边界与第二边界之间的温度T_H下对所述坯体进行热处理，或者，将所述坯体进行冷却通过第一边界，随后

将所述坯体进行加热通过第一边界并且在第一边界与第一温度T_S之间的温度T_AH下对所述坯体进行热处理，随后

将所述坯体进行冷却通过第一边界，并且在低于第一边界的温度下对所述坯体进行热处理。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括重复以下步骤：

将所述坯体进行加热通过第一边界并且在第一边界与第一温度T_S之间的温度T_AH下对所述坯体进行热处理，随后

将所述坯体进行冷却通过第一边界，并且在低于第一边界的温度下对所述坯体进行热处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在温度Ts、T_H和T_AH中的至少一个温度下的热处理停留时间为30分钟至4小时。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，T_H比Ts小5℃至40℃。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，T_S位于1155℃至1210℃的范围内，T_H位于1120℃至1170℃的范围内，并且T_AH位于1135℃至1200℃的范围内。

6.一种制造R₂M₁₇合金磁体的方法，其中，R是由Ce、La、Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y组成的组中的至少一种，M包括Co、Fe、Cu和Zr，其中，R₂M₁₇合金包括随着温度降低包含第一相区、第二相区和第三相区的相图，相图包括第一相区与第二相区之间的第一边界以及第二相区与第三相区之间的第二边界，第一相区包括处于平衡状态的液相和固体R₂M₁₇相，并且第二相区包括具有大于95％的相分数的固体R₂M₁₇主要相，第三相区包括处于平衡状态的不同的组成的至少两种固相，所述至少两种固相包括固体R₂M₁₇相，所述方法包括以下步骤：

在高于第一边界并在第一相区中的第一温度T_S下对包括2R和17M的比率的坯体进行热处理，随后

将所述坯体进行冷却通过第一边界并且在第一边界与第二边界之间的温度T_H下对所述坯体进行热处理，或者，将所述坯体进行冷却通过第一边界，随后

将所述坯体进行冷却通过第二边界，并在低于第二边界且高于900℃的温度T_BH下热处理所述坯体，随后

将所述坯体进行加热通过第二边界，并且在第二边界与第一温度Ts之间的温度下热处理所述坯体。