[发明专利]凹陷结构的刻蚀方法以及凹陷结构在审
| 申请号： | 202010434386.2 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113707552A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 林昱佑 | 申请（专利权）人： | 广东汉岂工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚;邹秋菊 |
| 地址： | 528300 广东省佛山市顺德区大良街道办事处德和居*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凹陷 结构 刻蚀 方法 以及 | ||
1.一种凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：
步骤S1、对基板进行第一次刻蚀以形成第一刻蚀结构；
步骤S2、采用沉积材料在所述第一刻蚀结构的侧壁和底部上形成沉积层；
步骤S3、破坏所述第一刻蚀结构的底部的所述沉积层；
步骤S4、在所述第一刻蚀结构的底部进行第二次蚀刻以形成所述凹陷结构。
2.根据权利要求1所述的凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积材料的刻蚀速率低于所述基板的刻蚀速率。
3.根据权利要求1所述的凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，所述基板为硅基材料，所述沉积材料为氮化钛、钛、氮化钽、钌、镍、钴。
4.根据权利要求1所述的凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积层的厚度范围为1埃米-10纳米。
5.根据权利要求1-3中任意一项所述的凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，进一步包括：
步骤S5、采用衬层材料在所述凹陷结构上形成衬层，并采用通孔材料填充所述凹陷结构并进行抛光处理；
其中所述沉积材料与所述衬层材料相同。
6.根据权利要求5所述的凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S1进一步包括：
步骤S11、根据所述凹陷结构的深度以及设置在所述凹陷结构附近的基板部件确定刻蚀次数和每次刻蚀深度；
步骤S12、在所述基板上设置掩膜；
步骤S13、根据第一次刻蚀深度对所述基板进行第一次刻蚀以形成第一刻蚀结构。
7.根据权利要求6所述的凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S11进一步包括：
步骤S111、判定所述凹陷结构附近是否设置所述基板部件时，如果是基于所述基板部件的高度、所述凹陷结构的深度和所述衬层的位置确定所述凹陷结构的上部区域、中部区域和下部区域，否则基于所述凹陷结构的深度和所述衬层的位置确定所述凹陷结构的上部区域、中部区域和下部区域；
步骤S112、将所述第一蚀刻深度设置在所述中部区域且第二蚀刻深度设置在所述下部区域。
8.根据权利要求7所述的凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积层位于所述凹陷结构的所述上部区域中；所述沉积层的厚度与所述衬层的厚度之和大于所述下部区域中所述衬层的厚度。
9.根据权利要求1所述的凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，进一步包括在第二次刻蚀结束之后返回步骤S2，并重复执行步骤S2到步骤S4直至达到所述凹陷结构的目标深度。
10.一种采用根据权利要求1-9中任意一项权利要求所述凹陷结构的刻蚀方法制造的凹陷结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
