[发明专利]石墨烯增强散热半导体封装工艺及半导体产品及电子产品在审
| 申请号： | 202010432877.3 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111640679A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王琇如 | 申请（专利权）人： | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 增强 散热 半导体 封装 工艺 产品 电子产品 | ||
1.一种石墨烯增强散热半导体封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、上芯，提供基板并在所述基板上设置芯片(200)，电连接所述芯片(200)与所述基板；
S2、第一次涂布，于设置有芯片(200)的基板上涂布绝缘胶，形成绝缘胶层(300)；
S3、第二次涂布，于所述绝缘胶层(300)表面涂布散热层(400)。
2.根据权利要求1所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺，其特征在于，所述散热层(400)为石墨烯散热层(400)或高散热碳化材料。
3.根据权利要求2所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺，其特征在于，所述绝缘胶采用低粘度绝缘胶，以保证绝缘胶能够进入到所述芯片(200)与所述基板之间的缝隙中。
4.根据权利要求3所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺，其特征在于，所述散热层(400)的材料粘度大于所述绝缘胶的粘度。
5.根据权利要求4所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺，其特征在于，于所述第二次涂布完成之后还包括步骤固化，固化温度在100℃至190℃之间，固化时长大于等于30分钟。
6.根据权利要求5所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺，其特征在于，所述基板为PCB(100)，所述芯片(200)采用倒装的方式设置在所述基板上，所述芯片(200)与所述PCB(100)上的电路之间通过锡球(500)电连接。
7.根据权利要求6所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺，其特征在于，一次涂布完成后所述绝缘胶延伸至所述芯片(200)与所述PCB(100)之间的空间中，并包覆所述锡球(500)。
8.根据权利要求7所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺，其特征在于，所述封装工艺在晶圆级产品上进行，二次涂布并固化完成后进行切割形成单个半导体产品。
9.一种半导体产品，其特征在于，采用权利要求1-8中任一项所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺进行封装。
10.一种电子产品，其特征在于，具有采用权利要求1-8中任一项所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺加工而成的半导体产品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰群电子科技（东莞）有限公司，未经杰群电子科技（东莞）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010432877.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
